PSMN025-100D,118 封装SOT428 场效应管 电子元器件 询价下单 深圳市圳业电子有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.00 PSMN025-100D 全新MOS管 TO-252封装 PSMN025-100D 深圳市锐雅电子有限公司 7年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.60 原装进口原字 PS...
PSMN025-100D是一款N沟道MOS管,适用于最大100V的工作电压,最大45A的电流承载能力。其导通电阻在10V下为18mΩ。阈值电压为3.2V,需要在控制电压大于该阈值时才能实现正常导通。封装类型为TO252。 应用简介: PSMN025-100D适用于需要高电压和高电流承载能力的应用领域,如电源开关、电机驱动器、逆变器等。其较低的导...
PSMN025-100D中文资料
PSMN025-100D.pdf --- 产品详情 --- 型号PSMN025100D 丝印 VBE1102N 品牌 VBsemi 参数 沟道类型 N沟道 额定电压 100V 额定电流 45A 导通电阻 18mΩ @ 10V, 20Vgs (±V) 阈值电压 3.2V 封装类型 TO252详细参数说明 PSMN025100D是一款N沟道MOS管,适用于最大100V的工作电压,最大45A的电流承载能力。其...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 PSMN025-100D、 恩智浦、 TO-252 商品图片 商品参数 品牌: 恩智浦 封装: TO-252 批号: 22+ 数量: 10000 资质: 原厂代理渠道 货源: 原厂 优势: 价格优势 库存: 现货 售货: 售后无忧 品质: 原装正品 ...
PSMN025-100D,118产品技术参数 安装类型表面贴装 长度6.73mm 尺寸6.73 x 6.22 x 2.38mm 典型关断延迟时间69 ns 典型接通延迟时间18 ns 典型输入电容值@Vds2600 pF@ 25 V 典型栅极电荷@Vgs61 nC @ 10 V 封装类型DPAK 高度2.38mm 晶体管材料Si
PSMN025-100D 118 Media Available datasheet, Photo, EDA/CAD Models, Other Brand MOS Current - Collector (Ic) (Max) 1 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1 Current - Collector Cutoff (Max) 1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1 Power ...
PSMN025-100D Mounting Type Standard Description Standard Application Standard Type Standard Series Standard Features Standard Manufacturing Date Code Standard standard standard Type integrated circuit Packaging and delivery Selling Units: Single item Single package size: XX cm Single gross weight: kg Show ...
制造商编号 PSMN025-100D,118 制造商 NXP(恩智浦) 唯样编号 H-PSMN025-100D,118-1 供货 Verical 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参...
PSMN025-1000分离式半导体 SOT252制造商 : Philips Semiconductors (NXP) 封装/规格 : SOT252 产品分类 : 分离式半导体 Datasheet: PSMN025-1000 Datasheet (PDF) RoHs Status: Lead free/RoHS Compliant 库存: 210 Share: Pinterest LinkedIn WhatsApp Facebook Line X 分享 对比产品 数量 加入BOM ...