全新PSMN025-100D 贴片TO-252 100V 47A N沟道MOS场效应管 现货 深圳市诚利电子科技有限公司 6年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥20.00 原装正品 PSMN025-100D 单FET MOSFET 晶体管 芯片 集成电路 深圳市科圭电子有限公司 3年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥4.99 ...
PSMN025-100D中文资料
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 PSMN025-100D-VB 商品编号 C7494555 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.386克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)9.2A ...
类似零件编号 - PSMN025-100D 制造商 部件名 数据表 功能描述 NXP Semiconductors PSMN025-100D 177Kb / 11P N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET Rev. 03-20 November 2008 Nexperia B.V. All right... PSMN025-100D 799Kb / 14P N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET Rev...
PSMN025-100D.pdf --- 产品详情 --- 型号PSMN025100D 丝印 VBE1102N 品牌 VBsemi 参数 沟道类型 N沟道 额定电压 100V 额定电流 45A 导通电阻 18mΩ @ 10V, 20Vgs (±V) 阈值电压 3.2V 封装类型 TO252详细参数说明 PSMN025100D是一款N沟道MOS管,适用于最大100V的工作电压,最大45A的电流承载能力。其...
PSMN025-100D是一款N沟道MOS管,适用于最大100V的工作电压,最大45A的电流承载能力。其导通电阻在10V下为18mΩ。阈值电压为3.2V,需要在控制电压大于该阈值时才能实现正常导通。封装类型为TO252。 应用简介: PSMN025-100D适用于需要高电压和高电流承载能力的应用领域,如电源开关、电机驱动器、逆变器等。其较低的导...
PSMN025-100D DatasheetIC型号: PSMN025-100D PDF描述: N-channel TrenchMOS transistor 文件大小: 95.98KB PDF页数: 9 Pages页 芯片厂家: PHILIPS [Philips Semiconductors] 纠错 0 扫码查看芯片数据手册 上传产品规格书 PSMN025-100D相关型号PDF文件下载 型号 版本 描述 厂商 下载 PSMN038 英文版 N-...
产品中心>分离式半导体>PSMN025-1000 图片仅供参考,请参阅产品规格。 分离式半导体 SOT252 制造商 :Philips Semiconductors (NXP) 封装/规格 :SOT252 产品分类 :分离式半导体 Datasheet:PSMN025-1000 Datasheet (PDF) RoHs Status:Lead free/RoHS Compliant ...