PSMN059-150Y,115 Nexperia 功率MOSFET 参数信息 制造商 Nexperia 制造商编号 PSMN059-150Y,115 商品目录 功率MOSFET 封装/外壳 LFPAK FET类型 N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs 59mΩ@10V Pd-功率耗散(Max) 113W 工作温度 150℃ 栅极电压Vgs 3V 漏源极电压Vds 150V 输入电容 1529pF 输出电容 208pF 连...
PSMN059-150Y,115 NXP N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 4-Pin 获取价格 PSMN063-150 NXP N-channel enhancement mode field-effect transistor 获取价格 PSMN063-150D NXP N-channel enhancement mode field-effect transistor 获取价格 PSMN063-150D NEXPERIA N-channel TrenchMOS ...
制造商编号PSMN059-150Y 115 制造商Nexperia(安世) 授权代理品牌 唯样编号J-PSMN059-150Y 115 供货Element14代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!