PSMN059-150Y 规格参数 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Active 包装说明: SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 Reach Compliance Code: not_compliant ECCN代码: EAR99 风险等级: 5.3 雪崩能效等级(Eas): 255 mJ 外壳连接: DRAIN 配置: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压: 150 V 最大漏极电流 (ID):...
制造商编号 PSMN059-150Y,115 商品别名 PSMN059-150Y 制造商 Nexperia(安世) 授权代理品牌 唯样编号 N-PSMN059-150Y,115 供货 海外代购 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 Single N-Channel 150 V 59 mOhm 27.9 nC 113 W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-56...
商品别名PSMN059-150Y 制造商Nexperia(安世) 授权代理品牌 唯样编号G-PSMN059-150Y,115 供货Arrow代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 Single N-Channel 150 V 59 mOhm 27.9 nC 113 W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-56 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 ...
型号:PSMN059-150Y,115 商品编号:DS0074707 封装规格:SOT669 商品描述:MOS管 N-channel Id=43A VDS=150V SOT669 数据手册 商品详情 PDF数据手册 技术文档 产品分类 MOSFETs 封装/外壳 SOT669 零件状态 在售 系列 - 是否无铅 无铅/ 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 ...
PSMN059-150Y,115 Nexperia 功率MOSFET 参数信息 制造商 Nexperia 制造商编号 PSMN059-150Y,115 商品目录 功率MOSFET 封装/外壳 LFPAK FET类型 N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs 59mΩ@10V Pd-功率耗散(Max) 113W 工作温度 150℃ 栅极电压Vgs 3V 漏源极电压Vds 150V 输入电容 1529pF 输出电容 208pF 连...
MOSFETs Nexperia PSMN059-150Y,115 询价 品牌:Nexperia(安世) 型号: PSMN059-150Y,115 商品编号: DS0074707 封装规格: SOT669 商品描述: MOS管 N-channel Id=43A VDS=150V SOT669 数据手册 商品详情 PDF数据手册 技术文档 相关问答 产品分类 MOSFETs 封装/外壳 SOT669 零件状态 在售 系列 -...
PSMN059-150Y,115品牌厂家:Nexperia,所属分类:晶体管-FET,MOSFET-单个,可在锐单商城现货采购PSMN059-150Y,115、查询PSMN059-150Y,115代理商; PSMN059-150Y,115价格批发咨询客服;这里拥有PSMN059-150Y,115中文资料、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还...
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制造商编号 PSMN059-150Y,115 商品别名 PSMN059-150Y 制造商 Nexperia(安世) 授权代理品牌 唯样编号 A36-PSMN059-150Y,115 供货 严选 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 Single N-Channel 150 V 59 mOhm 27.9 nC 113 W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-56...
制造商编号 PSMN059-150Y,115 商品别名 PSMN059-150Y 制造商 Nexperia(安世) 授权代理品牌 唯样编号 D-PSMN059-150Y,115 供货 海外代购D 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 Single N-Channel 150 V 59 mOhm 27.9 nC 113 W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-56...