qfn封装一站式服务定制化封装设计小批量,高可靠,万应 -- -- -- -- 面议 成都万应微电子有限公司 -- 立即询价 FDMS86181 场效应管 ON(安森美) 封装PQFN-8 批次24+ FDMS86181 20000 ON(安森美) PQFN-8 24+ ￥1.5000元1~9 个
爱企查为您提供FDMS0312S PQFN-8 ON系列货源可追溯正规报关,下单前请询价,深圳市万佳城电子科技有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。价格;行情报价;图片;厂家;品牌-ON;封装-PQFN-8;批号-20+;数量-90000;制造商-ON Semiconductor;产品种类-MOSFET;RoHS-
封装 PQFN-8 批号 22+ 数量 832906 漏源电压 30V 连续漏极电流 9A 导通电阻 20mΩ@10V,9A 可售卖地 全国 型号 FDMS4435BZ PDF资料 电子管-场效应管-FDMS4435BZ-onsemi/安森美-PQFN-8-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也...
品牌: ON/安森美 封装: 21+ 批号: PQFN-8 数量: 150000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Power-33-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电...
华秋商城代理的MOSFETs芯片全系列,有PQFN8_5X6MM封装/外壳芯片,都是华秋商城自营的正品现货MOSFETs芯片。 展示方式: 横向纵向 品牌 Infineon(英飞凌)ON(安森美) 封装/外壳 05051T1A-25N1A-2ATPAK2D-PAKD2PAKD2PAK(TO-263)DFN-1006-3LDFN-6L_2X2MM-EPDFN-8L_4.9X5.75MMDFN-8L_5X6MMDFN0606-3DFN1006-...
封装/规格:PQFN-8_5x6mm 产品类型: MOS(场效应三极管) 品牌/产地:Techcode(泰德) 三极管类型:NPN 型号PN:TDM3736 描述:漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 112A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 4.2MΩ 流明 20A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 104W(TC) 类型 N沟...
品牌: ON/安森美 封装: 21+ 批号: PQFN-8 数量: 150000 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 系列: PowerTrench® FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Ta),28A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值...
商品编号: INF0000322 商品参数 选型手册 购买须知 属性 参数值 品牌 英飞凌 封装规格 PQFN-8 型号 IRLH6224TRPBF 描述 IRLH6224TRPBF PQFN-8 Infineon 查找类似商品 >> 梯度价格 梯度 售价(含税) 默认 1+ ¥5.932500/个 10+ ¥4.746000/个
封装: PQFN-8(5x6) 批号: 24+ 数量: 8300 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 14.5 A Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms ...
封装 PQFN-8 批号 最新 数量 10000 FET类型 N 漏源电压(Vdss) 1 漏极电流(Id) 1 漏源导通电阻(RDS On) 1 栅源电压(Vgs) 1 栅极电荷(Qg) 1 反向恢复时间 1 最大耗散功率 1 配置类型 1 工作温度范围 1 安装类型 1 可售卖地 全国 型号 IRFH7084 主营产品: 各种原装进口元...