采用PQFN 3.3x3.3 mm² 和5x6 mm² Source-Down封装的OptiMOS™功率MOSFET 25 V-150 V现在有BSC(底部冷却)和DSC(双侧冷却)两种变体,有两种不同的基底:角栅极和中心栅极版本,后者为并行化做了明确优化。 Source-Down封装概念实现了单位面积最低的RDS(on)和出色的散热性能,为系统层面的改进提供了巨大的潜...
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采用2x2 PQFN (DFN2020) 封装的 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 低压功率 MOSFET PQFN(功率四扁平无引线)2x2 产品组合是英飞凌功率 MOSFET 产品系列的一部分。2x2 mm²的超紧凑封装外形有助于在PCB上以最佳方式放置电子元件,尺寸规格及外形体积都扮演着关键角色。
基于所有上述特性,PQFN5×6铜片封装具有与DirectFET封装(未使用顶部冷却)相似的性能,这实现了性能的大幅提升,同时能利用最新硅技术实现其所有的优势。在通常采用多个并联SO-8 MOSFET的设计中,PQFN 5×6铜片技术可用单个器件代替两个或更多传统器件,从而简化设计并提高可靠性。利用单个器件取代多个器件对于尺寸严格受限的...
The PQFN (Power Quad Flat No-lead) is a highly efficient space-saving package designed for a wide range of higher power applications.
全球功率半导体和电源管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件,采用IR最新的HEXFET MOSFET硅芯片和新款高性能PQFN 3 x 3封装,为电信、网络通信和高阶桌面计算机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了高密度、可靠和高效率的解决方案。
图4.PQFN封装IPM模块热阻模型 图3给出了PQFN封装IPM模块焊接于PCB板上的热传播示意图,从图中可以看到IPM模块产生的热量主要传播途径是通过PCB板和铜皮进行传导,仅有很小部分的热量从IPM模块顶部传导到空气中。其原因是由于IPM模块的特殊封装结构,功率MOSFET芯片固定于金属框架上,金属框架底面直接作为IPM模块的管脚焊...
to describe the family of single exposed pad PQFN packages.Power QFN(PQFN)封装是基于JEDEC标准四边扁平无引脚(QFN)表面贴装封装的热性能增强版本，QFN封装在四周底侧装有金属化端子。这样，就可采用标准化规则管理尺寸和端子配置，并为工业标准功率封装奠定基础，从而给新一代设计带来先进性能。
型号: IRFH7440TRPBF 封装: PQFN (5 x 6 mm) 批号: 19+ 数量: 8000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 6.5V 长度: 2mm 宽度: 2.6mm 高度: 1.9mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等...
通过最大程度地减少传导和开关损耗并采用先进的封装技术,实现了简化散热管理,树立了功率密度和整体效率的新标杆。 供货情况 OptiMOS 7 15 V产品组合现已开放订购并提供两种封装尺寸:PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置封装和PQFN 2 x 2 mm²封装。 About Latest Posts...