qfn封装成熟稳定产线一站式服务定制化封装方案万应微 -- -- -- -- 面议 成都万应微电子有限公司 -- 立即询价 IRF40H233ATMA1 电子元器件 INFINEON 封装DUAL PQFN 5X6 8L 批次22+ IRF40H233ATMA1 1000 INFINEON DUALPQFN5X68L 22+ ...
PQFN(功率四方扁平无引脚)是专为各种高功率应用量身定制的高效空间节约封装。作为当今功率电子世界的“智能功率”选项,PQFN 比标准低功率切割 QFN 封装更进一步,而且也比其他功率离散封装更为灵活(集成电路控制晶片集成设计)。特色 从3 x 3 mm 到 8 x 8 mm 封装尺寸的空间节约设计 低封装寄生和电感效应,具有世...
采用PQFN 3.3x3.3 mm² 和5x6 mm² Source-Down封装的OptiMOS™功率MOSFET 25 V-150 V现在有BSC(底部冷却)和DSC(双侧冷却)两种变体,有两种不同的基底:角栅极和中心栅极版本,后者为并行化做了明确优化。 Source-Down封装概念实现了单位面积最低的RDS(on)和出色的散热性能,为系统层面的改进提供了巨大的潜...
从测试数据可以看出同样使用FR4材料的PCB板焊装此种PQFN封装的IPM模块时,额外增加顶部的散热器或冷却风扇也会对降低IPM壳温有很大帮助。虽然前文说明PQFN封装产生的热量主要从PCB板和铜皮传导出去,但是由于PQFN封装的IPM模块厚度仅为0.9mm,IPM顶部表面到硅片之间塑封材料厚度比较薄,根据前面结论可以近似认为IPM壳温和结...
Power QFN(PQFN)封装是基于JEDEC标准四边扁平无引脚(QFN)表面贴装封装的热性能增强版本,QFN封装在四周底侧装有金属化端子。这样,就可采用标准化规则管理尺寸和端子配置,并为工业标准功率封装奠定基础,从而给新一代设计带来先进性能。 IR和其他全球性功率半导体厂商目前可提供5mm×6mm匹配标准SO-8外形的PQFN器件,以及...
PQFN称为塑AO6401料四周扁平无引线封装(Plastic Quad Flat Pack-No Lead),类似于LCCC,其I/O引出端子是在塑封外壳侧面和外壳底部或仅在外壳底部,端子通常为镀金电极,由于电极短小故能提供较短的信号通路,并且电感和电容损耗低,故可在高频电路中使用。此外,在外壳底部带有散热板,这种封装常用于微处理单元、门阵列和...
采用PQFN 3.3 x 3.3 mm2封装的新一代25-150 V OptiMOS源极底置功率MOSFET具备优异的连续电流能力,最高可达298A,可以实现最高的系统性能。 供货情况 PQFN 3.3 x 3.3 mm2封装、25-150 V OptiMOS源极底置功率MOSFET有两种不同的引脚排列形式:标准门极布局和门极居中布局。目前这两款不同的引脚排列形式,均已...
方形扁平无引脚塑料封装(PQFN),是近几年推出的一种全新的封装类型。PQFN封装和CSP封装有些类似,M27C512B-12F但其元件底部不是焊球,而是金属引脚框架,如图⒉40所示。PQFN是一种无
to describe the family of single exposed pad PQFN packages.Power QFN(PQFN)封装是基于JEDEC标准四边扁平无引脚(QFN)表面贴装封装的热性能增强版本，QFN封装在四周底侧装有金属化端子。这样，就可采用标准化规则管理尺寸和端子配置，并为工业标准功率封装奠定基础，从而给新一代设计带来先进性能。
双PQFN功率MOSFETs实现低功率应用 关键字: 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩展其PQFN封装系列,推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET® MOSFET,为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案,这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码...