PN结 - 简介 在一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是 P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导体和 N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的PN结叫同质结,由禁带宽度不同的两种半导体材料(如GaAl/GaAs、InGaAsP/InP等)制成的PN结叫异质结...
加入正向和反向电压的PN结能带图如下所示: 外加电压V时的PN结能带图 这里需要解释的是,导带底以及价带顶能带在空间电荷区仍是一条曲线而非直线,课本上的能带图在此处容易引起误解,而上面图片中的E_{fn}(蓝色线)和E_{fp}(红色线)对于理想PN结来说在P区和N区中的变化同样应当是曲线。这些在下面都会进行定量推...
pn结:在一块N型(或P型)半导体单晶上,用特定的工艺方法把P型(或N型)杂质掺入其中,使这块单晶相连的二个不同区域分别具有N型和P型的导电类型,在二者交界面的过渡区即称为PN结。 PN结结构示意图 pn结形成: 离子注入或扩散 化学气相沉积 硅片直接健合等技术 PN结的种类主要分为以下几种: 合金结:熔化合金→再结...
PN结是半导体器件中的一个基本结构，它由P型半导体和N型半导体紧密接触并相互结合在一起形成。P型半导体富含空穴（正电荷载体），是通过掺入受主杂质原子得到的；而N型半导体富含自由电子（负电荷载体），是通过掺入施主杂质原子获得的。当这两种不同类型的半导体材料接触时，会在它们的交界区域形成一个特殊的区域，...
PN结电容算法与平板电容相似，只是宽度会随电压变化。扩散电容 PN结势垒电容主要研究的是多子，是由多子数量的变化引起电容的变化。而扩散电容研究的是少子。在PN结反向偏置时，少子数量很少，电容效应很少，也就可以不考虑了。在正向偏置时，P区中的电子，N区中的空穴，会伴着远离势垒区，数量逐渐减少。即离结近处，...
pn结 pn结,是半导体在P型半导体区域和所述N型半导体是指一个部分,其面积是在接触。除了表现出诸如整流,电致发光和光伏效应之类的现象外,在结处还产生了缺乏电子和空穴的耗尽层。这些特性以各种形式应用于包括二极管和晶体管的各种半导体元件中。肖特基结的整流特性在原理
PN结电容效应 1.势垒电容:耗尽层宽窄变化所等效的电容Cb 2.扩散电容:PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载流子(P区扩散到N区的空穴,及N区扩散到P区的电子)的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释放的过程,其等效电容称为扩散电容Cd。 3.结电容:Cj=Cb+Cd 只有在信号频率较高时才考虑结电容的作用...
1、 PN结的定义是什么？对于PN结的定义，首先我们看下来自于百度百科的内容：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。是不是有点晦涩？学习就是要逐渐理解那些晦涩的定义，好了进入主题...
PN结是一种由P型半导体和N型半导体材料组成的结构。它是现代电子学中最基本、最重要的器件之一,被广泛应用于半导体电子学、光电子学、微电子学等领域。 1.PN结的形成过程 P型半导体和N型半导体通过扩散或衬底熔合等方式连接起来形成PN结。在P型半导体中,杂质原子的浓度较高,而在N型半导体中,杂质原子的浓度较低。