3.pn结能带图:电子将从费米能级高的n区流向费米能级低的p区,空穴则从p区流向n区,因而 E_{Fn} 不断下移,且 E_{Fp} 不断上移,直至两者相等,使得pn结中有统一的费米能级,并且由于空间电荷区,导致n区整体下移,p区整体上移。 4.pn结接触电势差(内建电势差):平衡pn结的空间电荷区两端间的电势差 V_D 称为pn结的接触电势差,恰
在实际PN结器件中,还存在着产生电流,复合电流,隧穿电流与载流子倍增效应,详见刘恩科半导体物理。 小结:本节我们画出了PN结的能带图,分别定性分析了正向偏压和反向偏压下电流特点,下一节我们更进一步,定量分析PN结的电流并联系具体模电内容。
N区电子扩散到P区,导带电子少了,费米能级就要下移,P区空穴扩散到N区(本质还是N区的电子转移到P区),费米能级就要上移,最终通过这一上一下,费米能级达到一致。 所以PN结平衡时的能带图就是下面这样,N区电势比P区高一个内建电势(能带图画的是电子的能量,电子带负电,对于电子电势能来说P区比N区高),至于耗...
【答】pn结正偏压、零偏压和反偏压下的能带图,如图6-4所示。+pnnpn+p!np'in'jEcpEcpEqEenq(V_D+V)EenEvPEEVnEvEvEVDppn(a)正向偏压(b)零偏压(c)反向偏压图6-4答案6.4-9图pn结正向偏压时,外电场与内建电场方向相反,势垒区电场减弱,势垒区变薄;多子扩散大于漂移电流,形成正向导通电流;外偏电压为零时...
能带图如下: 正偏压V使得PN结N型中性区的费米能级(以及诸能级)相对于P型中性区的费米能级(以及诸能级)升高qV.在P型中性区,E F =E FP .在空间电荷区,可以认为费米能级不变即等于E FP ;在N型中性区,E F =E FN .同样,在空间电荷区可认为电子费米能级不变,即等于E FN .于是,从空间电荷区两侧边界开...
真空能级在PN结能带图中为什么是弯曲的？金属与n型半导体接触的能带图：Evac：真空能级Ec：导带底能级Ev...
度，形成Al-Si的熔融体，然后降低温度，熔融体开始凝固，在n型Si片上形成一含有高浓度的p型Si薄层，它与n型Si衬底的交界面处即为pn结(Al-Si合金结)。如下图所示。合金法制造pn结的过程 (二)扩散法 p并-n减结小的空载间流电子荷分区布的（宽采度用求平衡态导电在电子n浓型度类单似的晶方法S）i片上，...
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空间电荷区是怎样形成的。画出零偏与反偏状态下pn结的能带图。相关知识点: 试题来源: 解析 答:当p型半导体和n型半导体紧密结合时,在其交界面附近存在载流子的浓度梯度,它 将引起p区空穴向n区扩散,n区电子向p区扩散。因此在交界面附近,p区留下了不能移 动的带负电的电离受主,n区留下了不能移动的带正电的...
答案:热平衡时突变PN结的能带图、电场分布如下所示,Ec-|||-qVs-|||-Ec-|||-一一一一-|||-Lqvn-|||-Ey-|||-0p-|||-0-|||-有-|||-一十其-|||-面积=扩散势-|||-m反向偏置后的能带图和相应的I-V特性曲线如下所示。p-|||-1-|||-内处电写-|||-(a)-|||-外电场-|||-十-|||...