PN结的形成:P型半导体:在纯净的硅或锗等四价半导体中掺入三价元素(如硼、镓等),形成P型半导体。这些三价元素原子因少一个价电子,形成空穴,使得该区域电子浓度低于空穴浓度。N型半导体:在纯净的硅或锗中掺入五价元素(如磷、砷等),形成N型半导体。五价元素多出的一个价电子使得该区域电子浓度高于空穴浓度。结...
形成:采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 原理 杂质半导体 N型半导体(N为Negative的字头...
PN结是半导体器件中的一个基本结构，它由P型半导体和N型半导体紧密接触并相互结合在一起形成。P型半导体富含空穴（正电荷载体），是通过掺入受主杂质原子得到的；而N型半导体富含自由电子（负电荷载体），是通过掺入施主杂质原子获得的。当这两种不同类型的半导体材料接触时，会在它们的交界区域形成一个特殊的区域，...
此时 PN 结区的少子在内 电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流,可忽略扩散电流, PN 结 呈现高阻性。 PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流; PN 结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。由此 可以得出结论: PN 结具有单向导电性。
简介PN结是由n型半导体和p型半导体组成的结,它们中的电子和空穴会互相扩散,直到达到一个平衡状态。 在这个平衡状态下,电子和空穴的浓度相等,并且在结的中心形成一个电势垒。 这个电势垒可以被用来控制电流的流…
百度试题 结果1 题目PN结的形成? 相关知识点: 试题来源: 解析 (1)结构 PN结是在一块本征半导体的两部分分别掺以3价和5价杂质面制成的。在N型和P型半导体的按界处就形 反馈 收藏
PN结是半导体器件中最基本的结构之一。它由p型半导体和n型半导体组成，呈现出一个p区和一个n区，两个区域之间成为PN结。PN结具有很高的电子迁移率和能量差异，使其成为电子器件和光电器件中最重要的元件之一。PN结的形成是由掺杂半导体材料而来，以下将详细阐述其形成过程。1. 掺杂p型半导体材料 p型半导体材料中的...
PN结形成过程中,可以自由移动的粒子是自由电子,正负离子和空穴不可移动 电场方向:由正离子指向负离子 PN结的单向导电性: 外加正向电压: 外加正向电压时,内外电场方向相反,内电场被削弱,使得扩散运动继续进行。由于电源的作用,电子不断地被搬运,使得PN结导通,此时,电子定向移动,产生电流。
答: PN结采用不同的掺百杂工艺 ,将P型半导体与 N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。 PN结具有单向导电性。PN结(PN junction) 一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是度P型半 导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P 型半导体和 N型半导体的交界面附近的过渡区称。 PN结...