形成:采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 原理 杂质半导体 N型半导体(N为Negative的字头...
PN结的形成:P型半导体:在纯净的硅或锗等四价半导体中掺入三价元素(如硼、镓等),形成P型半导体。这些三价元素原子因少一个价电子,形成空穴,使得该区域电子浓度低于空穴浓度。N型半导体:在纯净的硅或锗中掺入五价元素(如磷、砷等),形成N型半导体。五价元素多出的一个价电子使得该区域电子浓度高于空穴浓度。结...
此时 PN 结区的少子在内 电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流,可忽略扩散电流, PN 结 呈现高阻性。 PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流; PN 结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。由此 可以得出结论: PN 结具有单向导电性。
PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。在一块完整的硅...
简介PN结是由n型半导体和p型半导体组成的结,它们中的电子和空穴会互相扩散,直到达到一个平衡状态。 在这个平衡状态下,电子和空穴的浓度相等,并且在结的中心形成一个电势垒。 这个电势垒可以被用来控制电流的流…
PN结的形成过程 在杂质半导体中，正电荷和负电荷的数量相等，它们的作用相互抵消，从而保持电中性。1、载流子浓度差产生的倍数扩散运动 P型半导体和N型半导体结合后，在它们的结处出现电子和空穴的浓度差。 N型区电子多空穴少，P型区空穴多电子少。这样，许多电子和空穴必须从高浓度扩散到低浓度。因此，一些电子必须...
百度试题 结果1 题目PN结的形成? 相关知识点: 试题来源: 解析 (1)结构 PN结是在一块本征半导体的两部分分别掺以3价和5价杂质而制成的。在N型和P型半导体的接界处就形 反馈 收藏
解析 1. 因浓度差,产生扩散运动,使其交界处的 N 区、 P 区分别带正电荷,负电荷 2. 扩散建立内电场,且内电场随扩散运动加强 3. 内电场的建立引起两种运动,阻止 “ 多子 ” 扩散,引起 “ 少子 ” 漂移 4. 当扩散运动与漂移运动达到动态平衡,便形成了稳定的 PN 结。
pn结是半导体器件中最常用的一种。它由夹杂着掺杂不同种类杂质的p型半导体和n型半导体组成。当这两种半导体材料接触时,形成了p-n结。 1.p-n结的形成 p-n结是通过将p型半导体和n型半导体直接接触在一起形成的。在p型半导体中,杂质原子几乎全部为三价元素(如硼),而在n型半导体中,杂质原子几乎全部为五价元素...
一、半导体PN结的形成原理 半导体PN结是由P型半导体和N型半导体通过特定的工艺方法结合而成的。其形成原理主要涉及半导体材料的掺杂、载流子的扩散以及空间电荷区的形成等过程。 半导体掺杂 P型半导体:在纯净的半导体材料中掺入少量的三价元素(如硼、铝等),这些三价元素与半导体中的四价元素(如硅、锗)结合时,会形成...