pn结——pn结电容、击穿及隧道效应 1、势垒电容 (1)突变结的势垒电容 (2)线性缓变结的势垒电容 2、扩散电容 3、pn结的击穿 (1)雪崩击穿 (2)齐纳击穿(隧道击穿) (3)热电击穿 4、p-n结隧道效应 (1)简并半导体能带图 (2)Esaki二级管 更多内容 半导体和新能源作为材料专业里的浅坑获得了很高关注,也看过太...
2)在外加正向电压大小变化时,引起耗尽层载流子(少子)浓度及数量的变化,这种电容效应称之为“扩散电容”,Cd。 3)PN结电容Cj=Cb+Cd 结面积小的为1pF左右,结面积大的为几十至几百pF,对于低频信号呈现出很大的容抗,其作用可忽略不计,因而只有在高频时才考虑结电容的作用。©...
因此,pn结电容可以用来制作各种类型的电路和器件。 二、工作原理 1. pn结介质层 在没有外加电压时,p型区域和n型区域之间存在着一个正向偏置的内建势垒。这个内建势垒是由于p型区域中多余的空穴与n型区域中多余的自由电子在边界处发生复合而产生的。这个势垒形成了一个具有一定宽度的空间电荷区域(也称为pn结介质...
pn结电容 一块半导体晶体一侧掺杂成P型半导体,另一侧掺杂成N型半导体,中间二者相连的接触面称为PN结(英语:pn junction)。PN结是电子技术中许多元件,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容。 势垒电容 我们知道,P区空穴多,N区电子多,因为扩散,会在中间形成内建电场区。N...
散电容是PN结加 时所呈现的电容。 相关知识点: 试题来源: 解析 反向电压,正向电压 势垒电容机理:PN结外加反向电压时,耗尽层宽度随电压变化。反向偏压下耗尽层电荷量变化对应势垒电容,符合平板电容公式C=εS/d。 扩散电容机理:PN结正偏时多子注入形成浓度梯度,载流子扩散中产生电荷储存效应。正偏电压改变时非平衡...
在反向偏置的pn结, 每单位面积的电容被定义为cj=dQ/dVr, 式中dQ是每单位面积电荷的变化量, 它是由反向电压的增量dVr引起的。假设p+n结在耗尽近似中的电荷是由dQ=qNDdw给出的,式中ND表示基区掺杂浓度,而ddw是电压dVr引起的空间电荷层宽度w 的变化量。后者可以按照式(3-58)表示为dVr=q⋅ND⋅w⋅dw/...
1.PN结的电容效应 PN结在反向偏置下会出现电容效应,其原理与金属电容相似,由于PN结两侧空间电荷区不断扩展、电场强度也随之变化,所以PN结即可视为电容器,而其反向偏置下的电容就是PN结电容。 2.什么是负电容效应 PN结的电容大小随着反向电压的变化而发生改变,在反向电压较小时,PN结表现为高电容性,然后随着反向电压增大...
PN结结电容是利用PN结的电容变化来实现电容器功能的一种器件。当在PN结两侧施加不同的电压时,会形成一个电场,从而使得PN结两侧的载流子发生漂移运动,进而改变PN结的电容。PN结电容分为势垒电容和扩散电容两部分。 势垒电容是指PN结中的势垒区域,当PN结两侧施加反向电压时,势垒区域的电容会增加,而正向电压时则...