因此,PMOS 晶体管的 ID – VDS 特性如下所示。 PMOS 晶体管在线性区的漏极电流方程如下: ID = – 考克斯议员 同样,饱和区 PMOS 晶体管的漏极电流方程如下: ID = – mp Cox (VSG – | V TH |p )^2 其中“mp”是空穴的迁移率,“|VTH|” p'是PMOS晶体管的阈值电压。 在上式中,负号表示 ID(漏...
典型NMOS的Ids-Vgs曲线呈现明显的亚阈值摆幅特性，其亚阈值斜率S值约为60-70mV/dec，而PMOS因界面态密度差异通常表现出更陡峭的亚阈值特性。在饱和区，NMOS的跨导gm可达数百mS/μm，而PMOS通常低30%-40%。输出特性曲线显示，当Vds超过Vdsat后，NMOS进入速度饱和区，电流增速显著放缓。这种特性使其更适合作为电流...
Vds:Vd和Vs之间的电压,也就是此MOS管能承受的最大电压,超过此电压,MOS很有能烧毁。 Id:漏极电流,即MOS管最大导通电流。 所谓高端低端驱动,实际上就是,S极(源极)接电源还是接地的区别,而S极的接法和管子本身的特性相关,对于NMOS,我们通过上图可以观察到,其内部的寄生二极管方向是S极→D极,故电流的方向就...
在饱和区工作时,二者的关系表现为:主控关系:ID与(VGS-Vth)²成正比次生关系:ID与(1+λ|VDS|)成弱正相关电场分布:当|VDS|>|VGS-Vth|时,漏端形成耗尽区夹断点位置随VDS变化移动,改变有效沟道长度4. 参数特性对比| 参数 | 对饱和区的影响方向 | 物理作用机制 | |-...
1)输出特性曲线 N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。 2)转移特性曲线 转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性...
输出特性曲线MOS管的工作状态分为三个区域：截止区：VGS < VGS(th)，无电流通过。线性区（可变电阻区）：• VDS较小，电流ID随VDS线性增长。• 此时MOS管等效为受VGS控制的电阻。饱和区（恒流区）：• VDS较大，电流ID趋于稳定。• 此区域用于放大电路设计。跨导（gm）• NMOS跨导较高：电子迁移速度快...
漏极电流 ID 是 PMOS 晶体管处于导通状态时流过该晶体管的电流。漏极电流的大小取决于栅极-源极电压 (Vgs)、漏极-源极电压 (Vds) 和各种器件参数。以下电流方程是描述 PMOS 晶体管漏极电流的一个有用模型: ID = μp * Cox * (W/L) * [(Vgs - Vth) * Vds - (1/2) * Vds^2]. ...
,这款产品漏源电压-30V,耗散功率1400mw。AO3401具有良好的产品特性,包括VDS=-30V,RDS(ON) 50mΩ@VGS=-10V,ID=-4.2A,低导通电阻特征,适用于PWM和负载开关应用,采用表面贴装技术制造。AO3401的外壳材料是模塑塑料,分类等级:94V-0,重量约0.008克。 PMOS产品AO3401在反向保护电路中的应用...
下图是PMOS的输出特性曲线,是PMOS本身的一个特性,根据G、D、S电压不同,MOS会工作在不同的区域,即可变电阻区、饱和区(恒流区)、截至区。LDO中的MOS是工作在恒流区的。 顺着下图绿色箭头指示方向|Vgs|逐渐上升,Ids跟着|Vgs|上升而上升,而这段区域内不管Vds怎么变Id基本不变,换句话说,恒流区内,Ids受Vgs控制,因...