如果一个pmos管,工作在放大区(假设对应电流为Id),源级直接接电源(假设为5V),漏极用串联的方法接了某个电阻Rx(假设为1K欧),并同时假设漏源之间的电阻为Rds,从而Vds=Id*Rds,5V=(Rx的电压)+Vds,从这里就可以看出Rx的电压就是固定的,那么流过Rx的电流是Id还是(5伏-Vds)/Rx?难道【Id=(5伏-Vds)/Rx】么...
(公式中请用Vgs表示栅源电压,用Vds表示漏源电压,Vtp表示阈值电压,漏极电流用Ids表示,用kp表示μ*Cox*W/L) 相关知识点: 试题来源: 解析 545 结果一 题目 PMOS也就会了,饱和区、线性区的电压条件。还有PMOS处于线性区、饱和区、速度饱和区时对应的计算漏极电流的公式是什么?(公式中请用Vgs表示栅源电压,用Vds...
1, put on the positive side of the power supply, you have to use Pmos, right, I have load 320V / rated 5A (power-on moment is capacitive, inrush current of more than 100) and 48V / rated 20A (power-on moment is capacitive, inrush current of more than 100) two kinds ...
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题目测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=-3V,VGS=-1V,VTP=-1.5V;其中VTP为增强型PMOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域。? 恒流区(饱和区、放大工作区)预夹断临界点可变电阻区截止区 相关知识点: 试题来源: 解析 截止区 反馈 收藏
6.5 Electrical Characteristics: Dual Supply at TA = 25°C, VDD = 15 V, and VSS = –15 V (unless otherwise noted) PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT VDD V ANALOG SWITCH Analog signal range TA = –40°C to +125°C VSS VS = 0 V, IS = –1 mA RON On-resistance VS = ...
其中PMOS中最大Vgs=+-12V,Vds=-30V, -1.3v 答案 也可以考虑I/O通过三极管或光耦驱动继电器,继而控制电源开关。 这样就不同考虑电源对控制部分电路的反馈情况,比如杂波干扰等。 具体还是要看电路实际需求。相关推荐 1我利用3.3vIO口+光耦+NPN+PMOS控制5V/3A电源开关?(有图)麻烦各位看下?其中PMOS中最大Vgs=+...
VDS |VGS-VT| 0SATURATION(ConstantCurrentSource) G D S Sourceof“majoritycarriers” (e-innmoscase,p+inpmos) BasicApproach:1.Estimatestatesorvoltages 2.Calculatevoltagesorstates 3.Makesureself-consistent 5 ©2012,Dr.PaulD.Franzon,.ece.ncsu.edu/erl/faculty/paulf.html ...
devices. NMOS is key words of model of N type MOSFET 2015-6-5 37 *Output Characteristics for NMOS M1 2 1 0 0 MNMOS w=5u l=1.0u VGS 1 0 1.0 VDS 2 0 5 .op .dc vds 0 5 .2 Vgs 1 3 0.5 .plot dc -I(vds) .probe *model .MODEL MNMOS NMOS VTO=0.7 KP=110U +LAMBDA...
PMOS也就会了,饱和区、线性区的电压条件。还有PMOS处于线性区、饱和区、速度饱和区时对应的计算漏极电流的公式是什么?(公式中请用Vgs表示栅源电压,用Vds表示漏源电压,Vtp表示阈值电压,漏极电流用Ids表示,用kp表示μ*Cox*W/L) 答案 545相关推荐 1PMOS也就会了,饱和区、线性区的电压条件。还有PMOS处于线性区、饱...