如果一个pmos管,工作在放大区(假设对应电流为Id),源级直接接电源(假设为5V),漏极用串联的方法接了某个电阻Rx(假设为1K欧),并同时假设漏源之间的电阻为Rds,从而Vds=Id*Rds,5V=(Rx的电压)+Vds,从这里就可以看出Rx的电压就是固定的,那么流过Rx的电流是Id还是(5伏-Vds)/Rx?难道【Id=(5伏-Vds)/Rx】么...
在PMOS晶体管中,饱和状态指的是当栅源电压(Vgs)增加到一定程度后,漏极电流(Ids)不再随Vgs的增加而显著增加的状态。此时,晶体管进入饱和区,其电流主要受到漏源电压(Vds)的影响。饱和条件通常定义为Vgs大于或等于某个特定值(VS - VB),其中VS为源极电压,VB为衬底偏置电压。...
(公式中请用Vgs表示栅源电压,用Vds表示漏源电压,Vtp表示阈值电压,漏极电流用Ids表示,用kp表示μ*Cox*W/L) 相关知识点: 试题来源: 解析 545 结果一 题目 PMOS也就会了,饱和区、线性区的电压条件。还有PMOS处于线性区、饱和区、速度饱和区时对应的计算漏极电流的公式是什么?(公式中请用Vgs表示栅源电压,用Vds...
需要注意的是,PMOS防止反接电路中的PMOS晶体管需要选择合适的Vds(漏源电压)和Vgs(栅源电压)耐压值,以确保在正常工作条件下不会损坏。此外,还需要考虑PMOS晶体管上的功耗和散热问题,以避免过热导致性能下降或损坏。 三、结语 PMOS防止反接电路是一种有效的电路设计,可以保护电路免受电源...
6.5 Electrical Characteristics: Dual Supply at TA = 25°C, VDD = 15 V, and VSS = –15 V (unless otherwise noted) PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT VDD V ANALOG SWITCH Analog signal range TA = –40°C to +125°C VSS VS = 0 V, IS = –1 mA RON On-resistance VS = ...
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=-3V,VGS=-1V,VTP=-1.5V;其中VTP为增强型PMOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域。A.恒流区
百度试题 题目测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=-2V,VTP=-1V;其中VTP为增强型PMOS管的开启电压;试判断该管工作状态? 可变电阻预夹断临界点恒流截止 相关知识点: 试题来源: 解析 可变电阻 反馈 收藏
其中PMOS中最大Vgs=+-12V,Vds=-30V, -1.3v 答案 也可以考虑I/O通过三极管或光耦驱动继电器,继而控制电源开关。 这样就不同考虑电源对控制部分电路的反馈情况,比如杂波干扰等。 具体还是要看电路实际需求。相关推荐 1我利用3.3vIO口+光耦+NPN+PMOS控制5V/3A电源开关?(有图)麻烦各位看下?其中PMOS中最大Vgs=+...
现在就按照前面说的6步来判断该PMOS在开通的时候是否工作在SOA区。①测量MOS管的电压和电流波形，判断电压和电流是否超标 我们运行下这个仿真电路，得到电压和电流曲线如下图（现实中，我们是要用示波器测量的，但现在我们用仿真来替代）可以看到，最大尖峰电流I(峰)=36A，Vds最大为10V，并没有超过这个PMOS的SOA...
所以,上面介绍的是增强型NMOS晶体管和增强型PMOS晶体管。 除了增强型MOS器件外,还有一类MOS器件,它们在栅上的电压值为零时(VGS=0),在衬底上表面就已经形成了导电沟道,在VDS的作用下就能形成漏源电流。这类MOS器件被称为耗尽型(depletion mode),又称常开启型(normally-on) MOS晶体管。 耗尽型MOS晶体管分为耗尽...