因此,PMOS 晶体管的 ID – VDS 特性如下所示。 PMOS 晶体管在线性区的漏极电流方程如下: ID = – 考克斯议员 同样,饱和区 PMOS 晶体管的漏极电流方程如下: ID = – mp Cox (VSG – | V TH |p )^2 其中“mp”是空穴的迁移率,“|VTH|” p'是PMOS晶体管的阈值电压。 在上式中,负号表示 ID(漏...
在PMOS晶体管的饱和区内,Vds对晶体管的工作状态具有重要影响。当晶体管处于饱和状态时,漏极电流主要受到Vds的控制。随着Vds的增加,沟道内的电场分布发生变化,导致沟道的有效宽度减小,进而使漏极电流逐渐减小。这种现象称为沟道长度调制效应。因此,在饱和区内,Vds的变化会直接影响...
合科泰电子推出的PMOS产品AO3401漏源电压-30V,耗散功率1400mw,具有良好的产品特性,包括VDS=-30V,RDS(ON)50mΩ@VGS=-10V,ID=-4.2A,低导通电阻特征,适用于PWM和负载开关应用,也可广泛用于反向保护电路。 2023-07-08 - 产品 代理服务 技术支持 采购服务 鲁晶半导体亮相慕尼黑上海电子展,助力半导体功率器件国产替...
与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。 2、mos管特性曲线-转移特性曲线:转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDS>v...
合科泰电子推出的PMOS产品AO3401漏源电压-30V,耗散功率1400mw,具有良好的产品特性,包括VDS=-30V,RDS(ON)50mΩ@VGS=-10V,ID=-4.2A,低导通电阻特征,适
NMOS管I/V特性曲线 这是NMOS管的I/V特性曲线,我们不难看出, 当VGS < Vth时,导电沟道未形成,故处于截止区。 当VGS >Vth, 且0 < VDS < VGS-Vth时,器件工作在线性区(三极管区)。 当VGS >Vth, 且VDS > VGS-Vth时,沟道电流ID基本不随VDS的变化而变化。此时器件工作在饱和区。可以看到器件工作在饱和区时...
封装:封装形式直接影响其能承受的电流和功率。 耐压Vds:表示器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大电压。 饱和电流Id:晶体管在饱和区工作时的最大电流。 导通阻抗Rds:晶体管导通时的等效电阻,影响导通损耗。 栅极阈值电压Vgs(th):使晶体管开始导通的栅源电压值。此外...
Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 23 A Rds On-漏源导通电阻: 117 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V Qg-栅极电荷: 64.7 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C
合科泰生产的这款产品具有很好的电学特性,它具有超低的导通电阻:VDS=-30V,ID=-1A, RDS(ON)≤21mΩ@VGS=-10V。超低的栅极电荷,非常大的连续漏电流,适合相对较大的大电流应用,AO4435管在电流和电压的控制方面表现出色,当栅极施加电压时,形成电场控制沟道的导电性,进而调节漏源电流,它的开关速度快,效率高,可...