LS FET导通时S/D反转,名义Ids为负,这个叫做MOSFET的第三象限模式(3rd quadrant),即Ids<0,Vds<0。在死区时间,说是body diode导通续流,实际上是寄生BJT导通,body diode是BJT的EB结,S是collector,这是MOS模型里的常见做法。需要注意的是,死区时间时MOS channel并非完全关断的,虽然名义Vgs=0,但实际S/D反转,D电...