电子管-场效应管-IPB107N20NA-Infineon 英飞凌-PG-TO263-3-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单...
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 存储IC 商品关键词 BTS112A、 INFINEON英飞凌、 PG、 TO、 263、 3 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON英飞凌 封装: PG-TO-263-3 批次: 18+ 数量: 6500 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: ThroughHole 封装/...
封装 PG-TO263-3 批号 24+ 数量 3300 制造商 Infineon 产品种类 电源开关 IC - 配电 RoHS 是 输出端数量 1 Output 输出电流 3.5 A 电流限制 7 A 导通电阻—最大值 100 mOhms 运行时间—最大值 70 us 空闲时间—最大值 150 us 工作电源电压 1.3 V to 2.2 V 最小工作温度 - 40...
明佳达电子供应全新原装英飞凌功率MOSFET IPB038N12N3G N 通道 120 V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 120...
封装: PG-TO263-3 批号: 23+ 数量: 10000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 45 A Rds On-漏源导通电阻: 4.9 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SPB20N60S5、 Infineon 英飞凌、 PG-TO263-3 商品图片 商品参数 品牌: Infineon 英飞凌 封装: PG-TO263-3 批号: 22+ 数量: 68522 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 ...
封装/规格:PG-TO-263-3 产品类型: MOS(场效应三极管) 品牌/产地:Infineon(英飞凌) 三极管类型:NPN 型号PN:IPB027N10N3GATMA1 描述:缺省 缺省 缺省 缺省 缺省 缺省 缺省 缺省 样品: 1-99个 40.144474 100-499个36.684542 批量: 500-1999个33.474179 2000-3999个30.587150 4000-7999个27.516025 8000个以上25.9221...
封装 PG-TO263-3 批号 21+ 数量 3000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 90C 最小电源电压 3V 最大电源电压 7V 长度 1.5mm 宽度 3mm 高度 2.3mm 可售卖地 全国 型号 IPB144N12N3 G 技术参数 品牌: INFINEON/英飞凌 型号: IPB144N12N3 G 封装: PG-TO...
封装: PG-TO263-3 批号: 新年份 数量: 8660 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 120 A Rds On-漏源导通电阻: 1.5 mOhms ...