PG-TO263-3-2_Interactive 3D_01 Share 04_00 | Jun 28, 2023 | STP | 453 kb PG-TO263-3-2_Interactive 3D Share 04_00 | Jun 28, 2023 | PDF | 127 kb PG-TO263-3-2_Package Outline Share 04_00 | Jun 28, 2023 | PDF | 106 kb ...
单位重量 2 g 可售卖地 全国 类型 Low Side 型号 BTS133TCBUMA1 技术参数 品牌: INFINEON 型号: BTS133TCBUMA1 封装: PG-TO263-3-2 批号: 21+ 数量: 1000 制造商: Infineon 产品种类: 电源开关 IC - 配电 RoHS: 是 产品: Power Switches 类型: Low Side 输出端数量: 1 Output 输出电流: 7 ...
封装: PG-TO263-3-2 批号: 23+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 7V 长度: 9.4mm 宽度: 2mm 高度: 2.6mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...
供应商器件封装:PG-TO263-3-2 IGB10N60T,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:IGB10N60T 原始制造厂商:英飞凌(Infineon) 技术标准参数:IGBT 600V 20A 110W TO263-3 产品应用分类:单路IGBT 点击此处查询IGB10N60T的技术规格手册Datasheet(PDF文件) 全球现货资源整合,最快当日出货,满...
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价格优惠10N60 IGB10N60TATMA1 IGBT晶体管单20A 600V 110W贴片PG-TO263-3-2 IGB10N60集成电路, You can get more details about 价格优惠10N60 IGB10N60TATMA1 IGBT晶体管单20A 600V 110W贴片PG-TO263-3-2 IGB10N60集成电路 from mobile site on Alibaba.com
封装: PG-TO263-3-2 批号: 21+ 数量: 6000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 80 A Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 ...
PG-TO263-3-7 PG-TO263-3-901 PG-TO263-5-1 PG-TO263-5-2 PG-TO263-7-1 PG-TO263-7-2 PG-TO263-7-8 PG-TO263-7-10 PG-TO263-7-13 PG-TO263-7-14 PG-TO263-7-903 PG-TO263-7-11 PG-TO263-7-3 PG-TO263-7-12 PG-TO263-7-901 PG-TO263-7-900 ...
IPB100N04S3-03,丝印代码:3PN0403,封装:PG-TO263-3-2,厂家:INFINEON - 芯片丝印反查网marking code, top mark, smd code, device marking, top marking, device code型号: IPB100N04S3-03 丝印代码: 3PN0403 厂家: INFINEON 封装: PG-TO263-3-2...
单位重量 2 g 可售卖地 全国 型号 IPB057N06N 技术参数 品牌: Infineon 型号: IPB057N06N 封装: PG-TO263-3 批号: 23+ 数量: 10000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PG-TO-263-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压...