PG-TO263-3-1_Package Outline Share 01_00 | Jan 08, 2021 | PDF | 106 kb Board Assembly Recommendations (TO) Share 04_00 | Oct 11, 2021 | PDF | 1.91 mb PG-TO263-3-1_Interactive 3D Share 01_00 | Jan 08, 2021 | PDF | 135 kb ...
功率耗散(最大值) 136W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263A 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 型号 IPB067N08N3GATMA1 技术参数 品牌: INFINEON/英飞凌 型号: IPB067N08N3GATMA1...
型号 IPB60R199CPATMA1 技术参数 品牌: INFINEON 型号: IPB60R199CPATMA1 封装: PG-TO263-3 批号: 22+ 数量: 1000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-...
爱企查为您提供IPB60R199CPATMA1 电子元器件 INFINEON 封装PG-TO263-3 批次22+,深圳市友信发科技有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。电子元器件;电子元器件批发;电子元器件行情报价;电子元器件价格;电子元器件底价;电子元器件图片;电子元器件厂家;电子元
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器件封装:PG-TO263-3 IPB60R120C7ATMA1,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:IPB60R120C7ATMA1 原始制造厂商:英飞凌(Infineon) 技术标准参数:MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 点击此处查询IPB60R120C7ATMA1的技术规格手册Datasheet(PDF文件...
器件封装:PG-TO263-3 IPB60R040C7ATMA1,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:IPB60R040C7ATMA1 原始制造厂商:英飞凌(Infineon) 技术标准参数:MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 点击此处查询IPB60R040C7ATMA1的技术规格手册Datasheet(PDF文件) ...
供应商器件封装 : PG-TO263-3 包装: 标准卷带 零件状态 : 在售 库存信息:1795件,有货 品牌:International Rectifier (Infineon Technologies) 市场价:¥11.02 销售价:¥9.33申请更低价?请联系在线客服 数量: 梯度价-买得越多,省得越多 数量价格 ...
爱企查为您提供IPB60R099CPAATMA1 电子元器件 INFINEON 封装PG-TO263-3 批次22+,深圳市友信发科技有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。电子元器件;电子元器件批发;电子元器件行情报价;电子元器件价格;电子元器件底价;电子元器件图片;电子元器件厂家;电子元
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