封装 PG-TO263-3 漏源击穿电压 200V 导通电阻(10V) 100.00mΩ 标准QG(10V) 19.00nC 最小VGS(th) 3.00V 最大VGS(th) 4.90V 标准VGS(th) 3.95V 漏极电流 9.10A 数量 100k 批号 新年份 品牌 英飞凌 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数
明佳达电子供应全新原装英飞凌功率MOSFET IPB038N12N3G N 通道 120 V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 120...
PG-TO263-3-2_Interactive 3D_01 Share 04_00 | Jun 28, 2023 | STP | 453 kb Diagrams Footprint Dimensions Package Dimensions Packing Tape & Reel Pieces/Reel1000 Reels/Box1 Reel Diameter (mm)330 Pieces/Reel1000 Reels/Box1 Reel Diameter (mm)330 ...
To identify RoHS-compliant products upfront, please note that the package description of a product which has already been converted to green always starts with "PG". Halogen free products feature an H instead of G as the package marking. They are always RoHS-compliant.Please consult our distrib...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 存储IC 商品关键词 BTS112A、 INFINEON英飞凌、 PG、 TO、 263、 3 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON英飞凌 封装: PG-TO-263-3 批次: 18+ 数量: 6500 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: ThroughHole 封装/...
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供应商器件封装:PG-TO263-3 SKB02N60,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:SKB02N60 原始制造厂商:英飞凌(Infineon) 技术标准参数:IGBT 600V 6A 30W TO263-3 产品应用分类:单路IGBT 点击此处查询SKB02N60的技术规格手册Datasheet(PDF文件) 全球现货资源整合,最快当日出货,满足您从研发...
封装: PG-TO263-3 批号: 新年份 数量: 8660 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 120 A Rds On-漏源导通电阻: 1.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20...
供应商器件封装:PG-TO263-3 IGB20N60H3,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:IGB20N60H3 原始制造厂商:英飞凌(Infineon) 技术标准参数:IGBT 600V 40A 170W TO263-3 产品应用分类:单路IGBT 点击此处查询IGB20N60H3的技术规格手册Datasheet(PDF文件) 全球现货资源整合,最快当日出货,满...
型号 IPB072N15N3G 品牌 IR/INFINEON 型号 IPB072N15N3G 封装 PG-TO263-3-2 批号 最新年份 FET类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 150V 漏极电流(Id) 100A 漏源导通电阻(RDS On) 7.2mOhm @ 100A、10V 栅源电压(Vgs) 4V @ 270μA 栅极电荷(Qg) 93nC @ 10V 反向恢复时间 原厂标准 最大耗散功率 300W...