1、低温处理:PECVD技术能在比传统CVD技术更低的温度下沉积薄膜,这一点对于半导体制造尤为重要,因为高温可能对精细的设备结构造成损害。 2、出色的薄膜均匀性:PECVD技术能在基底上形成厚度和成分高度一致的薄膜,这种均匀性对设备的性能和可靠性极为关键。 3、高沉积速率:PECVD在沉积速率上相较传统CVD技术有显著提升,...
PECVD（等离子增强化学气相沉积或等离子体辅助化学气相沉积），是一种利用等离子体在较低温度下进行沉积的一种薄膜生长技术。 等离子体中大部分原子或分子被电离，通常使用射频 (RF) 产生，但也可以通过交流电 (AC) 或直流电 (DC) 在两个平行电极之间放电产生。PECVD的优势 PECVD 是一种基于真空的工艺，通常在 <0...
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition)是等离子增强化学气相淀积,该技术是在低气压下,利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上(即样品放置的托盘)产生辉光放电,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的工艺气体,这些气体经一系列化学反应和等离子体反应,最终在样品表面形成固态薄膜。 所...
PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition），即等离子增强化学气相沉积技术，是在低气压环境下，通过低温等离子体在工艺腔体的阴极（样品托盘）上引发辉光放电，进而利用此放电效应（或辅以加热装置）将样品加热至预设温度。随后，适量工艺气体被引入，这些气体在射频电场作用下发生复杂的化学反应及等离子体反应，最终...
PECVD工艺能够通过控制反应气体的成分和工艺参数，调节沉积薄膜中的氧化硅比例，从而影响薄膜的致密度和化学稳定性。物理性质：二氧化硅薄膜的物理性质包括高硬度、高热稳定性和低热膨胀系数。其熔点在1600°C左右，这使得它能够在高温条件下应用而不失效。PECVD沉积的SiO₂薄膜通常具有良好的机械性能，能够在微电子器件的...
PECVD的特点 1. 低沉积温度:这有助于减少因膜与基底材料线膨胀系数不匹配导致的内部应力。 2. 高沉积速率:尤其是在低温条件下,有利于获得非晶态和微晶态薄膜。 3. 减少热损伤:低温工艺减少了热损伤,降低了膜层与基底材料之间的互扩散和反应,或减少高温对器件电学性质的影响。
由于等离子体的激活作用,PECVD可以显著提高反应速率,比常规CVD具有更高的沉积速率,可以实现快速大面积薄膜生长。 3.3. 更好的薄膜均匀性和致密性 等离子体的存在促进了反应物质的扩散和沉积,因此PECVD所得薄膜通常具有更好的均匀性和致密性,适用于要求高质量薄膜的应用。
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PECVD系统的气源几乎都是由气体钢瓶供气,这些钢瓶被放置在有许多安全保护装置的气柜中,通过气柜上的控制面板、管道输送到PECVD的工艺腔体中。 在淀积时,反应气体的多少会影响淀积的速率及其均匀性等,因此需要严格控制气体流量,通常采用质量流量计来实现精确控制。
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