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封装 PDFN3333 数量 131000 批号 23+ 品牌 冠禹半导体 型号 KS4310MA 漏源电压(Vdss) 4 连续漏极电流(Id) 3 栅极电荷(Qg@Vgs) 1.6 封装/规格 PDFN3333 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化...
矽源特ChipSourceTek-CST100N03D是BVDSS=30V,RDSON=3.5mΩ,ID=100A的N沟道快速切换Mosfets。提供PDFN3333-8L封装。矽源特ChipSourceTek-CST100N03D是高单元密度沟槽N沟MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。矽源特ChipSourceTek-CST100N03D符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能...
合科泰可用于电池管理系统上的N-MOS管封装是PDFN5X6和PDFN3333,HKTQ50N03与HKTQ80N03这两款产品可满足要求。 N沟道MOS管的应用包括用于低电压设备,如使用电机和直流电源的全桥和B6桥布置,有助于将电机的负电源反向切换。N沟道MOS管在饱和区和截止区工作,它就像一个开关电路,这些MOS管用于将LAMP投影仪或LED进...
封装/规格: PDFN3333 包装: 盒装 最小包装量: 5000 封装: PDFN3333 批号: 22+ 数量: 600000 RoHS: 是 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。
封装 PDFN3333 可售卖地 全国 型号 KS2222MB 品牌: 冠禹半导体型号: KS2222MB封装: PDFN3333品类: N沟道功率MOS管/场效应管MOSFET主要参数:VDS= 20 VID = 55 ARDS(ON) @VGS= 10 V, TYP 3.8 mΩRDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 4.1 mΩ深圳市芯导电子有限公司货源长期稳定供应,批次新,品质保证欢迎联系...
PDF资料 价格说明 联系我们 品牌 锐俊/RUICHIPS 封装 PDFN3333 批号 21 数量 50000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 125C 最小电源电压 4V 最大电源电压 8.5V 长度 5.1mm 宽度 4mm 高度 1.1mm 可售卖地 全国 型号 RU3030M2 Features Pin Descriptio...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 KS3214MAT、 冠禹半导体、 PDFN3333 商品图片 商品参数 品牌: 冠禹半导体 封装: PDFN3333 批号: 21+ 数量: 60000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: ...
在封装上,HKTQ30P03采用PDFN3333封装,表面贴装形式非常适用于体积小的电子设计方案,满足客户对小型化、功能系统化、模块化封装等设计要求。 合科泰这款产品采用的双面散热技术,散热性能优异,在整体性能上非常出色。这个PDFN3333封装的产品具有非常出色的热传导性能、电气性能和机械强度等。同时,它具有体积小、重量轻、...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 VS3510AE、 VANGUARD/威兆、 PDFN3333 商品图片 商品参数 品牌: VANGUARD/威兆 封装: PDFN3333 批号: 21+ 数量: 880000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 130C 最小电源...