矽源特ChipSourceTek-CST100N03D是一款高性能的N沟道快速切换Mosfets,具有出色的电气特性和封装形式,使其在众多应用领域中具有广泛的应用前景。 矽源特ChipSourceTek-CST100N03D是PDFN3333-8L封装,30V,100A的N-Mosfets。矽源特ChipSourceTek-CST100N03D是BVDSS=30V,RDSON=3.5mΩ,ID=100A的N沟道快速切换Mosfets。
封装 PDFN3333-8L 批号 22+ 数量 30000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 80C 最小电源电压 3V 最大电源电压 8.5V 长度 5.9mm 宽度 8.9mm 高度 1.4mm 可售卖地 全国 型号 WPM3035A 技术参数 品牌: 韦尔 型号: WPM3035A 封装: PDFN3333-8L 批号: ...
封装/规格: PDFN3333-8L 包装: 卷 最小包装量: 50 品类: MOS管 批号: 2024 封装: PDFN3333-8L 数量: 40000pcs 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议...
CST30N03BD是BVDSS=30V,RDSON=9.5mΩ,ID=25A的N沟道快速切换mosfets。提供PDFN3333-8L封装。 The CST30N03BD is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The CST30N03BD meet the RoHS and...
并通过了全功能可靠性认证。矽源特ChipSourceTek-CST306D 特性：100%EAS保证 绿色设备可用 超低栅极电荷 出色的CdV/dt效应下降 先进的高细胞密度沟槽技术 矽源特ChipSourceTek-CST306D 产品概述：矽源特ChipSourceTek-CST306D PDFN3333-8L 引脚配置:矽源特ChipSourceTek-CST306D双PDFN3333-8L包装外形数据 :
封装: PDFN3333-8L 批号: 19+ 数量: 3000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 7V 长度: 9.9mm 宽度: 8.3mm 高度: 2.1mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...
以下是矽源特ChipSourceTek-CST20N06D的主要特性：1. BVDSS=60V：该Mosfet的击穿电压为60V，能够承受较高的电压，具有较高的安全工作区。2. RDSON=28mΩ：该Mosfet的导通电阻为28mΩ，具有较低的导通损耗。3. ID=20A：该Mosfet的电流容量为20A，能够承受较大的电流，适用于高电流应用。4. PDFN3333-8L封装：...
价格 ¥ 1.00 起订数 10个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 MOS管 商品关键词 新锐代理、 XRS60N04D、 40V60A、 N、 MOS、 PDFN3333、 8L 商品图片 商品参数 品牌: 新锐 漏源电压: 40V 连续漏极电流: 60A 工作温度: -55 to 150 ℃ 包装: 卷 最小包...
型号:HC037N06L【30N06】 型号:HC012N06L2【50N06】参数:60V 30A 参数:60V 50A 类型:N沟道场效应管 类型:N沟道场效应管内阻28mR 内阻11mR低结电容650pF 低结电容1100pF 封装:贴片(TO-252) 封装:贴片(TO-252)低开启电压1.8V 低开启电压1.8V低结电容,低内阻,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大...
矽源特ChipSourceTek-CST100N03D是PDFN3333-8L封装,30V,100A的N-Mosfets。矽源特ChipSourceTek-CST100N03D是BVDSS=30V,RDSON=3.5mΩ,ID=100A的N沟道快速切换Mosfets。提供PDFN3333-8L封装。矽源特ChipSourceTek-CST100N03D是BVDSS=30V,RDSON=3.5mΩ,ID=100A的N沟道快速切换Mosfets。提供PDFN3333-8L...