以下是矽源特ChipSourceTek-CST20N06D的主要特性：1. BVDSS=60V：该Mosfet的击穿电压为60V，能够承受较高的电压，具有较高的安全工作区。2. RDSON=28mΩ：该Mosfet的导通电阻为28mΩ，具有较低的导通损耗。3. ID=20A：该Mosfet的电流容量为20A，能够承受较大的电流，适用于高电流应用。4. PDFN3333-8L封装：...
矽源特ChipSourceTek-CST100N03D是PDFN3333-8L封装,30V,100A的N-Mosfets。矽源特ChipSourceTek-CST100N03D是BVDSS=30V,RDSON=3.5mΩ,ID=100A的N沟道快速切换Mosfets。提供PDFN3333-8L封装。矽源特ChipSourceTek-CST100N03D是BVDSS=30V,RDSON=3.5mΩ,ID=100A的N沟道快速切换Mosfets。提供PDFN3333-8L封...
封装 PDFN3333-8L 批号 22+ 数量 30000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 80C 最小电源电压 3V 最大电源电压 8.5V 长度 5.9mm 宽度 8.9mm 高度 1.4mm 可售卖地 全国 型号 WPM3035A 技术参数 品牌: 韦尔 型号: WPM3035A 封装: PDFN3333-8L 批号: ...
封装: PDFN3333-8L 批号: 1年内 数量: 42009 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 8V 长度: 3.1mm 宽度: 5.9mm 高度: 1.5mm ET6304 MOS管 品牌ETERNAL(宜源科技) 封装PDFN3333-8L 新批次 价格说明 ...
价格 ¥ 1.00 起订数 10个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 MOS管 商品关键词 新锐代理、 XRS60N03D、 30V、 62A、 N、 MOS管、 PDFN3333、 8L 商品图片 商品参数 品牌: 新锐 漏源电压: 30V 连续漏极电流: 62A 工作温度: -55 to 150 ℃ 包装: 卷 最...
并通过了全功能可靠性认证。矽源特ChipSourceTek-CST306D 特性：100%EAS保证 绿色设备可用 超低栅极电荷 出色的CdV/dt效应下降 先进的高细胞密度沟槽技术 矽源特ChipSourceTek-CST306D 产品概述：矽源特ChipSourceTek-CST306D PDFN3333-8L 引脚配置:矽源特ChipSourceTek-CST306D双PDFN3333-8L包装外形数据 :
它提供PDFN3333-8L封装。矽源特ChipSourceTek-CST3419是具有极高单元密度的最高性能沟槽P-ch MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。矽源特ChipSourceTek-CST3419符合RoHS和绿色产品要求，100％EAS保证具有完全功能可靠性。矽源特ChipSourceTek-CST3419具有以下特性：1. 100％EAS保证2. 绿色...
采购2025春 WNM3038-8/TR PDFN3333-8L 单N沟道 MOSFET场效应管IC芯片 30V22A招商 询价单编号:ZGC6604***136 询价单有效期:至2025***入驻工厂可见 联系人及电话:柏先生 ***入驻工厂可见 备注:***入驻工厂可见 采购类目集成电路(IC) 采购类型周期 货物类型拿样 收货地址广东 广州 阿里巴巴找到海量...
起订数 5000个起批 10000个起批 15000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 PNM8PN30V50A、 Prisemi、 PDFN3333-8L 商品图片 商品参数 品牌: Prisemi 封装: PDFN3333-8L 批号: 24+ 数量: 50000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作...
封装: PDFN3333-8L 批号: 22+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 9.5V 长度: 3.7mm 宽度: 2.3mm 高度: 2.4mm 商家信息 企业名称:深圳东为电子科技有限公司 注册资本:500万(元) 成立日期:2014...