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矽源特ChipSourceTek-CST3419是BVDSS=-30V，RDSON=16mΩ，ID=-32A的P沟道快速切换mosfets。它提供PDFN3333-8L封装。矽源特ChipSourceTek-CST3419是具有极高单元密度的最高性能沟槽P-ch MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。矽源特ChipSourceTek-CST3419符合RoHS和绿色产品要求，100％EAS保...
封装 PDFN3333 批号 23+ 数量 163258 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 80C 最小电源电压 3.5V 最大电源电压 8.5V 长度 9.2mm 宽度 7.9mm 高度 2.6mm 可售卖地 全国 型号 VS4618AE 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 KS3216MBT、 冠禹KS、 PDFN3333 商品图片 商品参数 品牌: 冠禹KS 封装: PDFN3333 批号: 23+ 数量: 265325 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 4.5V...
在封装上,HKTQ30P03采用PDFN3333封装,表面贴装形式非常适用于体积小的电子设计方案,满足客户对小型化、功能系统化、模块化封装等设计要求。 合科泰这款产品采用的双面散热技术,散热性能优异,在整体性能上非常出色。这个PDFN3333封装的产品具有非常出色的热传导性能、电气性能和机械强度等。同时,它具有体积小、重量轻、...
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封装 PDFN3333 可售卖地 全国 型号 KS3314MA 品牌: 冠禹半导体型号: KS3314MA封装: PDFN3333品类: P沟道功率MOS管/场效应管MOSFET主要参数:VDS= -30 VID = -32 ARDS(ON) @VGS= 10 V, TYP 12 mΩRDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 18 mΩ深圳市芯导电子有限公司货源长期稳定供应,批次新,品质保证欢迎联...
矽源特ChipSourceTek-CST100N03D是一款高性能的N沟道快速切换Mosfets,具有出色的电气特性和封装形式,使其在众多应用领域中具有广泛的应用前景。 矽源特ChipSourceTek-CST100N03D是PDFN3333-8L封装,30V,100A的N-Mosfets。矽源特ChipSourceTek-CST100N03D是BVDSS=30V,RDSON=3.5mΩ,ID=100A的N沟道快速切换Mosfets。
封装: PDFN3333 批次: Active 数量: 40000 LeadCount: 8 ID(A)@25℃: 50.0 RDS(ON)Max4.5V: 14.0 RDS(ON)Max10V: 12.0 VTHTyp[V]: 1.9 VGSMax[V]: 20 BVDSS[V]: 60 Package: PDFN3333 ESD: NO Type: Single-N Status: NEW Part: VSE011N06MS 价格说明 价格:商品在...
封装 PDFN3333 可售卖地 全国 型号 KS4225MAT 品牌: 冠禹半导体型号: KS4225MAT封装: PDFN3333品类: N沟道功率MOS管/场效应管MOSFET主要参数:VDS= 40 VID = 38 ARDS(ON) @VGS= 10 V, TYP 7 mΩRDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 10 mΩ深圳市芯导电子有限公司货源长期稳定供应,批次新,品质保证欢迎联系...