封装 PDFN3333-8L 批号 22+ 数量 30000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 80C 最小电源电压 3V 最大电源电压 8.5V 长度 5.9mm 宽度 8.9mm 高度 1.4mm 可售卖地 全国 型号 WPM3035A 技术参数 品牌: 韦尔 型号: WPM3035A 封装: PDFN3333-8L 批号: ...
型号 XRS100N03D 类型 N沟道 漏源电压 30V 连续漏极电流 100 A 工作温度 -55 to 150 ℃ 包装 卷 最小包装量 4000 栅-源电压 ±20V 连续排水电流 65 A 脉冲排放电流 400A 储存温度范围 -55 to 150 ℃ 批号 24+ 封装 PDFN3333-8L 数量 120000 品牌 新锐 价格说明 价格:商品在...
CST30N03BD是BVDSS=30V,RDSON=9.5mΩ,ID=25A的N沟道快速切换mosfets。提供PDFN3333-8L封装。 The CST30N03BD is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The CST30N03BD meet the RoHS and...
矽源特ChipSourceTek-CST306D是BVDSS=30V,RDSON=5.0mΩ,ID=40A的双N-Ch快速切换Mosfets。提供PDFN3333-8L封装。矽源特ChipSourceTek-CST306D是高单元密度沟槽N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。矽源特ChipSourceTek-CST306D符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，并通过了全功...
以下是矽源特ChipSourceTek-CST20N06D的主要特性：1. BVDSS=60V：该Mosfet的击穿电压为60V，能够承受较高的电压，具有较高的安全工作区。2. RDSON=28mΩ：该Mosfet的导通电阻为28mΩ，具有较低的导通损耗。3. ID=20A：该Mosfet的电流容量为20A，能够承受较大的电流，适用于高电流应用。4. PDFN3333-8L封装：...
封装: PDFN3333-8L 数量: 120000 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注的抢购价等价格可能是...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 WNM3038、 Willsemi、 PDFN3333-8L 商品图片 商品参数 品牌: Willsemi 封装: PDFN3333-8L 批号: 19+ 数量: 3000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 100C 最小电源电...
采购2025春 WNM3038-8/TR PDFN3333-8L 单N沟道 MOSFET场效应管IC芯片 30V22A招商 询价单编号:ZGC6604***136 询价单有效期:至2025***入驻工厂可见 联系人及电话:柏先生 ***入驻工厂可见 备注:***入驻工厂可见 采购类目集成电路(IC) 采购类型周期 货物类型拿样 收货地址广东 广州 阿里巴巴找到海量...
矽源特ChipSourceTek-CST100N03D符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性获得批准。矽源特ChipSourceTek-CST100N03D 特性:超低栅极电荷 100%EAS保证 绿色设备可用 出色的CdV/dt效应下降 先进的高细胞密度沟槽技术 矽源特ChipSourceTek-CST100N03D 产品概述:矽源特ChipSourceTek-CST100N03D PDFN3333-8L ...
矽源特ChipSourceTek-CST3419是BVDSS=-30V，RDSON=16mΩ，ID=-32A的P沟道快速切换mosfets。它提供PDFN3333-8L封装。矽源特ChipSourceTek-CST3419是具有极高单元密度的最高性能沟槽P-ch MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。矽源特ChipSourceTek-CST3419符合RoHS和绿色产品要求，100％EAS...