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PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN3333-8L封装的PJQ4460AP-AU(60V/11A)N沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准,绿色环保塑封,符合IEC 61249标准,高密度单元设计,具有超低的导通电阻。 2019-11-28 - 新产品 代理服务 技术支持 采购服务 【产品】DFN5060-8L封装的60V/42A车规级N沟道增强型MOSFET ...
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN3333-8L封装的PJQ4468AP-AU(60V/18A)N沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准,绿色环保塑封,符合IEC 61249标准。 2019-11-30 - 新产品 代理服务 技术支持 采购服务 【产品】DFN5060-8L封装的60V/42A车规级N沟道增强型MOSFET PJQ5462A-AU PANJIT(强茂)电子有...
PANJIT/强茂 场效应管MOSFET PJQ4414P DFN3333-8L 30A,±20V,15A,18mΩ 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订...
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorMoisture Sensitivity Level 3 DFN3333-8L Fetures Applications YJQ50G04HHQ Product Summary - VDS 40V - ID 50A - RDS(ON)( at VGS=10V) <7mΩ - 100% EAS Tested General Descrip...
封装: DFN3333-8L 批号: 23+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 5V 最大电源电压: 6.5V 长度: 4.3mm 宽度: 6.3mm 高度: 1.8mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化...
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Split gate trench MOSFET technology DFN3333-8L Fetures Applications YJQ15GP10AQ Product Summary - VDS -100V - ID -15A - RDS(ON)( at VGS=10V) <110mΩ - RDS(ON)(...
封装: DFN3333-8L 批号: 23+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 7V 长度: 3.5mm 宽度: 5.3mm 高度: 2.2mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化...