封装:PDFN3X3-8L 小封装MOS管 80N03的应用领域: 电池保护负载开关不间断电源 小封装MOS管 80N03的极限参数: (如无特殊说明,TC=25℃) 漏极-源极电压 VDS:30V栅极-源极电压 VGS:±20V漏极电流-连续 ID:80A漏极电流-脉冲 IDM:160A单脉冲雪崩能量 EAS:144.7mJ雪崩电流 IAS:53.8A总耗散功率 PD:43.4W存储...
宇芯微_-30VPMOS_60P03_PDFN3X3-8L_锂电保护MOS管_场效应管替换 价格 ￥0.25 起订量 100PCS起批 发货地 广东 东莞 所属类目 电子元器件;晶体管;场效应管(MOSFET) 产品标签 60P03;30VPMOS;锂电保护MOS管;场效应管替换 获取底价 查看电话 在线咨询 东莞市宇芯电子有限公司 主营商品:宇芯微...
VDS=-30V ID=-60A RDS(ON)<8mΩ@VGS=-10V 封装:PDFN3X3-8L 30VP沟道MOS管 60P03的应用: 锂电池保护 手机快充 30VP沟道MOS管 60P03的极限参数: (如无特殊说明,TC=25℃) 符号 参数 数值 单位 VDS 漏极-源极电压 -30 V VGS 栅极-源极电压 ±20 ID 漏极电流-连续 (TC=25℃) -60 A 漏极电...
需要金币:*** 金币(10金币=人民币1元) AP10H03DF 35A 30V PDFN3X3-8L 深圳恒锐丰科技.pdf 关闭预览 想预览更多内容,点击免费在线预览全文 免费在线预览全文 AP10H03DF 30VN+N-ChannelEnhancementModeMOSFET Description TheAP10H03DFusesadvancedtrenchtechnology ...
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封装 DFN3X3-8L 电压VDS ±30V 工作结温 TJ -55~150℃ RDS(ON) 20mΩ(N-CH)、50mΩ(P-CH) VGS ±20V 数量 6811000 批号 新年份 可售卖地 全国 类型 N+P沟道MOS管 型号 5G03 30VMOS管5G03的产品特点: 1、N-CH:VDS=30VID=8ARDS(ON)<20mΩ@VGS=10V2、P-CH:VDS=-30VID=-7....
产品品牌:宇芯微 产品类型:中低压MOS管 产品型号:5G03 产品封装:DFN3X3-8L 产品标题:场效应管主要参数 5G03 DFN3X3-8L N+P 30V增强型MOS 高频电路MOS管 咨询热线:0769-89027776 产品详情 30V增强型MOS 5G03的产品特点: 1、N-CH: VDS=30V ID=8A ...
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封装: DFN3x3-8L 批号: 22+ FET类型: Single-P 漏源电压: -30 漏极电流: -40 漏源导通电阻: 7.8 栅源电压: ±20 工作温度范围: -40°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 数量: 12000 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能...