AON7296 场效应管 AOS 封装DFN3X3_8L 批次21+ AON7296 76345 AOS DFN3X3_8L 21+ ￥0.9300元100~199 ￥0.5900元200~4999 ￥0.0370元>=5000 深圳市芯颖嘉业电子科技有限公司 5年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 WNMD2180 电子元器件 Willsemi 封装PDFN3x3-8L 批号19+ ...
封装 DFN-8 3x3 批号 18+ 数量 100000 FET类型 1 漏源电压(Vdss) 1 漏极电流(Id) 1 漏源导通电阻(RDS On) 1 栅源电压(Vgs) 1 栅极电荷(Qg) 1 反向恢复时间 1 最大耗散功率 1 配置类型 1 工作温度范围 1 安装类型 1 可售卖地 全国 型号 AON7534 还在为型号太多没办法询...
AON7401-VB是一款单P沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。该器件设计用于电源管理和电流控制应用,具有优秀的导通特性和热稳定性。其主要特点包括-30V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)和-2.5V的阈值电压(Vth)。在VGS为10V时,其导通电阻仅为11mΩ,支持最大-45A的漏极电流(ID)。采用Trench技术制造,适用于需要...
**AON7702A-VB**是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用DFN8(3x3)封装,具有优异的导通电阻和电流能力。其主要特性包括30V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)、以及1.7V的阈值电压(Vth)。该器件采用先进的Trench技术制造,具有极低的导通电阻(RDS(ON)),在VGS为4.5V时为19mΩ,在VGS为10V时为13mΩ。其额...
封装:DFN8 (3X3)详细参数说明:CSD17579Q3A-VB是一款N沟道MOSFET,主要设计用于低电压和高电流的应用。其额定电压为30V,能够承受高达40A的持续电流。这款MOSFET在不同电压下具有出色的导通特性,其静态导通电阻在10V电压下为11mΩ,而在4.5V电压下为16mΩ,表现出较低的电阻,有助于减小功耗和热量。此外,CSD17579Q3A...
型号 DFN8-0.65(3x3) 翻盖弹片光座(061-3030-080) 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。
DFN8pin芯片测试座规格参数: 生产品牌厂家:鸿怡电子—HMILU 芯片封装形式:DFN 芯片引脚:8pin 芯片引脚间距:0.65mm 适配芯片尺寸:3*3mm订购热线:13631538587 产品详情 鸿怡电子生产定制的HMILU-DFN8-0.65mm-3X3mm翻盖探针芯片测试座的产品简介、性能、特点、规格、应用、生产厂家介绍 适用于DFN8pin芯片测试环境:老化、...
华秋商城代理的线性稳压器/LDO芯片全系列,有DFN8_3X3MM_EP封装/外壳芯片,都是华秋商城自营的正品现货线性稳压器/LDO芯片。 展示方式: 横向纵向 品牌 ST(意法半导体) 工作温度 -40℃~+125℃ 安装类型 SMT 封装/外壳 D2PAKD2PAK-3DDPAK3DFN-10_3X3MM-EPDFN-12_3X3MM-EPDFN-8_3X3MM-EPDFN10_3X3MMDFN...
封装/规格 DFN8(3X3) 包装 编带 最小包装量 2500 产品特性 大功率 封装 DFN8(3X3) 包装方式 编带 数量 99999 芯片 台积电 工艺 长电封测代工 安装方式 表面贴片 产品保证 原装 批号 24+ FET类型 增强型 产地 中国 可售卖地 全国 品牌 VBsemi/微碧半导体 PDF资料 SI7409ADN-VB.pdf 下载...
**BSZ100N03MS G-VB** 是一款高性能单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。该器件专为高效功率转换和管理应用而设计,具有低导通电阻和高开关速度,适合各种高功率密度的应用场景。其30V的漏源电压(VDS)和30A的连续漏极电流(ID)使其在多个领域的应用中都表现出色。