此外,这款MOSFET还具有超低栅极电荷的特点,这有助于减少开关损耗,提高系统的效率。 矽源特ChipSourceTek-CST15P06D是PDFN3*3-8L封装,60V,15A的P-Mosfet。矽源特ChipSourceTek-CST15P06D是BVDSS=-60V,RDSON=70mΩ,ID=-15A的P沟道快速切换Mosfet。提供PDFN3333-8L封装。 在技术方面,矽源特ChipSourceTek-CST15P...
封装 PDFN5*6-8L-B 批号 2022 数量 10000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 100C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 6.5V 长度 7.5mm 宽度 2.2mm 高度 1mm 产品特色 原厂原装 可售卖地 全国 型号 NP4614BQR 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具...
矽源特ChipSourceTek-CST30P02D是一款高性能的P沟道快速切换MOSFET,其PDFN3*3-8L封装设计使其具有出色的电气性能和紧凑的尺寸,非常适合用于大多数同步降压转换器应用中。在本文中,我们将详细介绍矽源特ChipSourceTek-CST30P02D的主要特点、性能参数、应用领域以及其在电路设计中的优势。 首先,矽源特ChipSourceTek-CS...
P沟道 AP50P03NF PDFN3*3-8L -55 to 150 ℃ 是 锂电池保护、无线音响、手机快速充电 3013J7 示意图 Sketch Map 产品特性 Product characteristics VDS = -30V ID =-50A RDS(ON) <13mΩ @ VGS=-10V (Type:8.8mΩ) 应用范围 Scope of application 车充 滑板车 打火机 剃...
封装规格 :PDFN3X3-8L 产品详情 AP20G02BDF是一款应用于英集芯IP6822、IP6821、IP6802、IP6801无线充发射15W功率搭配MOS管,20V 20A N+P通道增强模式MOSFET,AP20G02BDF采用先进的沟槽技术,以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。
封装 PDFN3*3 批号 最新批次 数量 30000 产品种类 电子元器件 QQ 630529830 最小工作温度 -10C 最大工作温度 130C 最小电源电压 3.5V 最大电源电压 7V 长度 7mm 宽度 1mm 高度 2.4mm RoHS 是 可售卖地 全国 型号 NP6661BQR 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品图片 商品参数 品牌: Natlinear/南麟 漏源电压(Vdss): 30V/-30V 连续漏极电流(Id): 15A/-10A 批号: 2023 封装: PDFN3*3-8L 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40 最大工作...
P沟道 AP50P03DF PDFN3*3-8L -55 to 150 ℃ 是 锂电池保护、无线音响、手机快速充电 - 示意图 Sketch Map 产品特性 Product characteristics VDS = -30V ID =-50A RDS(ON) <13mΩ @ VGS=-10V (Type:8.8mΩ) 应用范围 Scope of application 车充 滑板车 打火机 剃须刀...
封装 PDFN3*3-8L 批号 22+ 数量 50000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 80C 最小电源电压 4.5V 最大电源电压 7V 长度 1mm 宽度 6.6mm 高度 2.8mm 可售卖地 全国 型号 SFN3009T PDF资料 电子管-MOSFET-SFN3009T-HI-SEMICON-PDFN3*3-8L-22+.pdf...
矽源特ChipSourceTek-CST80N03D是BVDSS=30V、RDSON=5.2mΩ、ID=80A的N沟道快速切换Mosfets,采用PDFN3333-8L封装。作为高单元密度沟槽N沟MOSFET,矽源特ChipSourceTek-CST80N03D在大多数同步降压转换器应用中表现出色,具有优异的RDSON和栅极电荷特性。它符合RoHS和绿色产品要求,并获得100%EAS保证和全功能可靠性批准。