长期以来GaN材料的p型有效掺杂浓度不高，无法实现p型重掺杂。其主要原因有以下几个方面：首先，GaN材料生长过程中容易产生N空位，N空位是施主源，所以GaN是一种自补偿型的材料，未掺杂就显n型；其次，MOCVD生长GaN时采用有机镓和NH3反应，则在GaN中含有H，这样当Mg作为受主杂质掺杂时就和H形成了电中...
第四章P型GaN的掺杂及欧姆接触...分类号密级 UDC 学位论文 GaN基p-i-n紫外探测器研究 （题名和副题名）邹泽亚 （作者姓名）指导教师姓名杨谟华教授 电子科技大学成都 （职务、职称、学位、单位名称及地址）申请学位级别硕士专业名称微电子与固体电子学 论文提交日期2007.2论文答辩日期2007.3 学位授予单位和日期...
采用正交实验设计方法设计p型GaN的生长9通过较少的实验9优化了影响p型GaN性质的三个生长参数:Mg流量\生长温度和V/]比 过量的Mg源流量\过高的生长温度\过大的V/]比都会降低自由空穴浓度 还研究了退火温度对p型GaN的载流子浓度和光学性质的影响 实验结果表明9700~750 范围为最佳退火温度 关键词!GaN;掺杂;光致...
多度进行GaN材料生长,同时通入Mg源进行P型掺杂.P型GaN的厚度为1.5ptm.采用正交实验设计方法设计P型GaN的生长条件,优化三个影响P型GaN性质的生长参数:Mg源摩尔数,生长温度,V/Ⅲ比.每个生长参数取三个实验点,Mg源流速为0.3,0.8和1.2ptmol/min;生长温⑥2005中国电子学会第3期金瑞琴等:P型GaN的掺杂研究5O9度...
关键词:掺杂浓度; n-GaN; p-GaN; 载流子浓度; 迁移率; 影响 引言 GaN是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,是制备蓝光和紫外波段半导体发光器件的理想材料。目前广泛使用的掺杂技术是用镁选择p型氮化镓材料。因为GaN的生长过程中,Mg结合在高温生长气氛氨分解产生的氢形成Mg-H复合体。因此,有必要在高温下直接退火以激活...
(72)发明人 王哲明 蔡勇 张璇 张宝顺 (74)专利代理机构 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256代理人 王锋(51)Int.Cl.H01L 21/265 (2006.01)H01L 21/324 (2006.01) (54)发明名称氮化镓p型掺杂的方法、GaN基PN结的制作方法及其应用(57)摘要本发明公开了一种氮化镓p型掺杂的方法、GaN基PN结的制作...
内容提示: 第l0 卷第 1期 20 13 年 2 月 综述 Sum mar i zati on V o1 . 10 No. 1 F ebrua ry 20 13 P 型掺杂 GaN 研究现状及发展 臧宗娟,石锋 ( 山东师范大学物理与电子科 学学院,山东 济南 250014 ) 摘饱和速度、高热导率、高耐温性、强抗辐射和稳定的化学性质等优点,在- 3 代微...
1.一种delta掺杂生长p-gan栅型hemt结构的方法,其特征在于,包括以下步骤: 技术总结 本发明涉及电子器件技术领域,具体公开了一种Delta掺杂生长p‑GaN栅型HEMT结构的方法,包括以下步骤:升温到1100℃通H2清洗衬底表面并将衬底表面腐蚀出台阶方便后续成核生长。然后降温至550℃生长后通入TMAl、TMGa和NH3生长低温AlGaN成核...
采用低温水热法在蓝宝石/p-GaN薄膜模板上生长了ZnO、ga掺杂ZnO (GZO)、in掺杂ZnO (IZO)和Ga-In共掺杂ZnO (GIZO)纳米线阵列,制备了自供电的p-GaN/n-ZnO异质结紫外探测器。 作者调查了Ga的影响或单掺杂和Ga-In提出微观结构特性和光学特性的热液地合成氧化锌纳米线和光敏特性进行了比较研究和光电的响应性能的四...
摘要 本发明涉及一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法,包括在衬底上生长缓冲层,在所述的缓冲层上生长p型GaN层,在生长所述的p型GaN层时,掺入活化剂,所述的活化剂为In和/或Al,所述的活化剂的摩尔流量为10~300umol/min。一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构,其由所述的制备方法制得。本发明在生长p型Ga...