中文名称:P型二硫化钼晶体 英文名称:p-type MoS2 crystals 性质分类:半导体 合成方法:CVT P型半导体通常是指掺杂有能够在晶体中产生正电荷(空穴)的杂质的半导体材料。对于二硫化钼(MoS2)这样的材料来说,要实现P型掺杂,需要引入能够提供空穴的杂质或缺陷。 在实验室研究中,科学家们尝试通过不同的方法实现P型掺杂。 ...
p型单层mos2电子亲和能的大小受多种因素的影响,主要包括原子或离子的电子结构、原子或离子的核电荷数、原子或离子的半径等。其中,原子或离子的电子结构是影响p型单层mos2电子亲和能的最重要因素。原子或离子的电子结构越不完整,其电子亲和能越大;反之,电子结构越完整,其电子亲和能越小。 三...
The back-gated as-grown Te-doped multilayer MoS2 field-effect transistor (FET) is observed to exhibit p-type behavior with a maximum mobility of 0.036cm2/V路s, ON/OFF current ratio of 7.8脳103, and a Schottky barrier height of 32meV. A quantitative Schottky barrier height of a p-type ...
异质结 MoS2/TiBO, MoS2/TiBF, 以及 MoS2/MoBO, 具有空穴肖特基势垒 (hole Schottky barrier), 且为电负性的p型欧姆接触 (p-type ohmic contacts). 一些基本概念 电子电离能electron ionization energy (此文中简称IP) 电子亲和能 electron affinity energy (EA) 功函数 work function Wf 为了方便理解,我简单画...
Molybdenum disulfide (MoS2) films possess intrinsic n-type conductivity, and thus development of p-type MoS2 films for realizing practical next-generation complementary metal oxide semiconductor devices is extremely challenging. The use of dopants is a well-known conventional approach for engineering intri...
布法-Sb2Se3铟镓硒晶体-InGaSe2-2D铅铋碲晶体-PbBi2Te4Kish石墨晶体-Kish graphite灰砷晶体-Grey arsene-2D天然二硫化钼晶体-MoS2-HQ钠锌碲氧晶体-Na2Zn2TeO6砷化钽晶体-TaAs3R-二硫化钼晶体-3R-MOS2氯化钌晶体-RuCl33R二硫化钼晶体-3R-MOS2氧化镓晶体-Ga2O3-layered三硒化二铟晶体- In2Se3-β-phase-...
团队赵刚副教授研究出新型自吸水式二维P/MoS2复合光催化剂的设计及其吸水制氢性能研究,文章题目: Self-water-absorption-typetwo-dimensionalcomposite photocatalyst with high-efficiency water absorption and overall water-splitting performance,...
In this study, p-type MoS2 is innovatively introduced on the n-type g-C3N4 loaded with Ni2P, which forms a new earth-abundant and environmentally benign photocatalyst for solar hydrogen generation. Firstly, we prepared the ternary MoS2–g-C3N4/Ni2P composite by ultrasonically mixing MoS2 ...
主营产品:石墨烯 二维半导体MOS2 WS2 CVD-石墨烯材料 进入店铺 产品分类 其他特种功能材 其他电光源材料 精细化学品加工 产品详情 加工贸易形式:按照客户要求定做 加工产品种类:科研院所用品 加工工艺:技术加工 加工设备:CVD生长炉子 加工设备数量:20 生产线数量:5 ...
We report on the first demonstration of p-type doping in large area few-layer films of (0001)-oriented chemical vapor deposited (CVD) MoS2. Niobium was found to act as an efficient acceptor up to relatively high density in MoS2 films. For a hole density of 4 x 1020 cm-3 Hall mobility...