中文名称:P型二硫化钼晶体 英文名称:p-type MoS2 crystals 性质分类:半导体 合成方法:CVT P型半导体通常是指掺杂有能够在晶体中产生正电荷(空穴)的杂质的半导体材料。对于二硫化钼(MoS2)这样的材料来说,要实现P型掺杂,需要引入能够提供空穴的杂质或缺陷。 在实验室研究中,科学家们尝试通过不同的方法实现P型掺杂。 ...
Here, we present the full energy spectra of the interface state densities (Dit) for both n- and p- MoS2 FETs, based on the comprehensive and systematic studies, i.e., thickness range from monolayer to bulk and various gate stack structures including 2D heterostructure with h-BN as well as...
得益于离子液体诱导的超高空穴掺杂密度,在两侧掺杂水平合适的p型MoS2和n型MoS2之间形成了具有较大有效势垒的p-n结。由此得到整流比大于106的器件,比其他方法制备的MoS2p-n结提高了两个数量级。在-2.0 V至0.0 V的Vig范围内,考虑到离子液体/MoS2界面处离子和空穴浓度较低,如图2b所示,沟道中间不应存在p-n结,特别...
图4g显示了由p型V-WSe2 FET和n型MoS2 FET串联组成的电路原理图,以实现sigmoid激活功能。输入(Vin)施加于两个器件的公共背栅端,而VDD和GND分别施加到n型和p型FET的源极和漏极。图4h显示了在n型和p型FET的公共节点端处测量的输出电压(Vout)与Vin的关系,类似于sigmoid激活函数。与反相器的情况类似,sigmoid激活...
e) MoS2p-n结气体传感器在紫外光照射下对不同20 ppm目标气体的气敏响应; f) 气体传感器在395nm紫外辐射下对5ppm二氧化氮的稳定性; g) MoS2p-n结气体传感器在紫外光照射下的长期稳定性。 图4 机理解释 a, c, e)MoS2p-n, 紫外线照射下的MoS2p-n结,以及紫外线照射下暴露于NO2蒸气的MoS2p-n结的敏感示意...
p型MoS2则对NO2具有快速的响应,但是这两种气体传感器对其它气体均表现出交叉响应,并且具有恢复缓慢和不完全的缺点;而基于n型MoS2和p型MoS2的p-n结气体传感器,则对NO2表现出优异的选择性,其响应(20 ppm)相对于单独的p型MoS2传感器提高了近60倍...
近日,青岛大学张军课题组和德国洪堡大学的Nicola Pinna教授合作在Adv. Funct. Mater.上发表了一篇题目为“MoS2Van der Waals p–n Junctions Enabling Highly Selective Room-Temperature NO2Sensor”的文章报告。该工作采用化学气相沉积法(CVD)和W掺杂的过氧化钼溶胶-凝胶软化学合成,分别制备n型和p型MoS2薄膜,并通过...
一种MoS2/Sip-n结太阳能电池器件的制备方法,包括以下步骤:(1)选取Si衬底,对其进行第一次清洗,然后采用化学腐蚀方法去除清洗后Si衬底表面氧化层,再对去除表面氧化层的Si衬底进行第二次清洗,清洗完成后对Si衬底进行干燥;(2)将干燥后的Si衬底装入托盘并放入真空腔,在Ar气气体环境下,采用直流磁控溅射技术,利用电离出...
Heterogeneous complementary inverters composed of bi-layer molybdenum disulfide (MoS2) and single-walled carbon-nanotube (SWCNT) networks are designed, and n-type MoS2/p-type SWCNT inverters are fabricated with a backgated structure. Field-effect transistors (FETs) based on the MoS2 and SWCNT ...
传统p-n结中光子-电转换的理论肖克利-奎伊瑟极限可能会被非中心对称材料中独特的块材光伏效应所克服。使用应变梯度工程,柔性光伏效应,即应变梯度诱导的块材光伏效应,可以在中心对称的半导体中激活,大大扩展了未来传感和能源应用的材料选择。 有鉴于此,近日,美国伦斯勒理工学院Jian Shi和Jie Jiang(共同通讯作者)等报道...