二硫化钼晶体(2H-合成/99.995%/n 型) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:N型半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%X-ray diffraction on a 2H-MoS2 single crystal aligned along...
中文名称:N型二硫化钼晶体 英文名称:n-type MoS2 crystals 性质分类:半导体 合成方法:CVT 用途:仅用于科研,不能用于人体 N型半导体是指掺杂有能够提供自由电子的杂质,增加半导体的电子浓度。对于二硫化钼(MoS2)这样的材料来说,要实现N型掺杂,需要引入能够提供额外电子的杂质或缺陷。 在实验室研究中,科学家们通过不同...
For -type monolayer MoS, the optical absorption in terahertz bandwidth can be achieved via intra spin-conserved transitions and inter spin-flip transitions at K and K′ valleys. More importantly, we find that there is a terahertz absorption peak in the radiation frequency range 2–10 THz. The...
并且N + F掺杂可以增强二硫化钼可见光区域的光吸收能力，利于光生载流子的生成。图3. MoS2和Type I进行光电性质图S7中发现，掺杂位置无法有效改善H还原的能力。接下来，作者对Type I在拉伸和压缩应变下的带隙进行计算，图S8利用声子谱证实了应变调控依旧不影响催化剂本身的稳定性。图4是Type I在不同应变率下的能...
应变效应会影响N和F原子对催化剂的协同作用和Mo和S原子之间的耦合作用,进而改变电子结构。在HER中,双轴压缩应变会保持优异的析氢自由能。虽然压缩应变为3%时也具备H还原活性,但是带隙转变为间接带隙,降低了电子的跃发能力。接着计算了压缩应变为2%的Type I催化剂,图5(b)可以发现,过电位η为1.797eV,虽然略高于...
应变效应会影响N和F原子对催化剂的协同作用和Mo和S原子之间的耦合作用,进而改变电子结构。在HER中,双轴压缩应变会保持优异的析氢自由能。虽然压缩应变为3%时也具备H还原活性,但是带隙转变为间接带隙,降低了电子的跃发能力。接着计算了压缩应变为2%的Type I催化剂,图5(b)可以发现,过电位η为1.797eV,虽然略高于...
应变效应会影响N和F原子对催化剂的协同作用和Mo和S原子之间的耦合作用,进而改变电子结构。在HER中,双轴压缩应变会保持优异的析氢自由能。虽然压缩应变为3%时也具备H还原活性,但是带隙转变为间接带隙,降低了电子的跃发能力。接着计算了压缩应变为2%的Type I催化剂,图5(b)可以发现,过电位η为1.797eV,虽然略高于...
Molybdenum disulfide (MoS2) films possess intrinsic n-type conductivity, and thus development of p-type MoS2 films for realizing practical next-generation complementary metal oxide semiconductor devices is extremely challenging. The use of dopants is a well-known conventional approach for engineering intri...
The smooth and uniform n-type and p-type (after the plasma treatment) MoS2 NSs could improve fill factor of devices and light absorption in active layer. The optimized Ag nanowires–MoS2 NSs (AgNW-MoS2 NSs) transparent electrode presented a low sheet resistance of 9.8 Ω sq−1, and the ...
MoO3改善接触的薄层MoS2 N-型场效应管的电输运性质研究. 中国科学: 物理学 力学 天文学, 2017, 47: 096801 Yan S L, Xie Z J, Wang L, et al. Transport properties of MoO3 contacted few-layer MoS2 N-type field-effect transistor (in Chinese). Sci Sin-Phys Mech Astron, 2017, 47: 096801,...