又可说成是与N型半导体中的掺杂浓度(NA),P型半导体中的掺杂浓度(ND)和本征半导体中的电子载流子浓度有关(ni)。 P-N结具有整流特性。 当交流电通过P-N结时变成直流电,P-N结的电压电流具有非线性关系。当V<0时,P-N结的宽度变大,电流不容易通过,J趋近于-Js。Js为反向饱和电流;当V>0时,P-N结的宽度变...
考虑到对于P型半导体来说:NA>>ND;得出结论P型半导体中的多子空穴的浓度约等于NA,同样对于N型半导体来说:ND>>NA;得出结论N型半导体中的多子电子的浓度约等于ND。好了,了解以上的知识就可以学习什么是空间电荷区了! 2.空间电荷区(又叫势垒区,耗尽区,英文是barrier area)空间电荷区是P型半导体和N型半导体接触...
KOYO光洋编码器 近接 TRD-S TRD-SH TRD-J系列 TRD-2T TRD-2TH TRD-NA TRD-K TRD-N TRD-2E-1000B TRD-J600-RZTRD-J240-RZTRD-GK100-RZ TRD-GK1000-RZ TRD-GK500-RZ E-03DM TRD-NH600-RZ D3-05B-1 E-05N E-05TE-03B-EX E-03DM KCN-4WRTRD-NH600 TRD-N300-RZ TRD-2E360B TRD-2...
【解析】【解析】根据组成生物体的元素中,含量由高到低是O、C、H、N、Ca,故C正确。【答案】C【基本概念】元素是具有相同核电荷数(即核内质子数)的一类原子的总称。①元素是以核电荷数(即核内质子数)为标准对原子进行分类。只讲种类,不讲个数。②质子数是划分元素种类的标准。质子数相同的原子和...
7氮 N 14.006 7(2) 8氧 O 15.999 4(3) 9氟 F 18.998 403 2(5) 10 氖 Ne 20.179 7(6) 11 钠 Na 22.989 769 28(2) 12 镁 Mg 24.305 0(6) 13 铝 Al 26.981 538 6(8) 14 硅 Si 28.085 5(3) 15 磷 P 30.973 762(2) 16 硫 S 32.065(5) 17 氯 Cl 35.453(2) 18 氩 Ar 39.948...
(4) 中性杂质散射中心浓度为多少?(1)热平衡时,p = — =1(P~- = 4.5x 104(cm'3)nn 5x10 廿显然n。》po ,故半导体杂质补偿后为n型。(2) 电中性方程 + p~ = p() (1)补偿后P; = NA (2)N i又Ef = Ed时,咗=—=-Nd ⑶1 + 2。-^将式(2)、(3)代入式(1),并注意到p « n,...
尽管图4a,b中的样品形状不是理想的对称形状,但是MoTe2和MoS2样品在磁场(H)扫描下相对磁阻[RH(H)–RH(0)]与H场图如图4d所示。这些斜率清楚 地标 识或区分了p型和n型传导。根据斜率,计算出在300K下的空穴和电子浓度(Na和Nd)分别为2.43×1017和2.5×1016/cm3。计算详细信息在支持信息部分。
nvdm钕(nvv)nǚ金属化学元素。符号Nd。银白色或微黄,稀土元素之一。在激光材料方面有重要应用。钕的盐类多用于制合金。 nve(セ)虐nüè⒈残暴,残害:暴～。～待。⒉灾害,祸害:乱～并生。 nveセ疟(瘧)nüè(又读yaoセ yào)[疟疾]又叫“疟子”,俗称“打摆子”。疟疾是一种急性传染病,由感染了疟原虫的疟蚊叮...
首先掺杂后的半导体中一共有四种带点体，带正电荷的有：1.失去一个电子后带正电的磷原子，即正电中心，2.正电空穴。所以正电荷浓度为：ND+P 带负电荷的有：1.得到一个电子后带负电荷的彭原子，即负电中心，2.负电子。所以负电荷浓度为：NA+N 楼主给的公式等价于：ND + P = NA + N 即整个...
1 H氢1.0079 2 He氦4.0026 3 Li锂6.941 4 Be铍9.0122 5 B硼10.811 6 C碳12.011 7 N氮14.007 8 O氧15.999 9 F氟18.998 10 Ne氖20.17 11 Na钠22.9898 12 Mg镁24.305 13 Al铝26.982 14 Si硅28.085 15 P磷30.974 16 S硫32.06 17 Cl氯35....