又可说成是与N型半导体中的掺杂浓度(NA),P型半导体中的掺杂浓度(ND)和本征半导体中的电子载流子浓度有关(ni)。 P-N结具有整流特性。 当交流电通过P-N结时变成直流电,P-N结的电压电流具有非线性关系。当V<0时,P-N结的宽度变大,电流不容易通过,J趋近于-Js。Js为反向饱和电流;当V>0时,P-N结的宽度变...
取坐标x的原点在p、n区的交界面上,n区的X围是-xn≤x≤0,p区的X围是0≤x≤xP.设两区内电荷体密度分布都是均匀的:n区 ,P区 (突变结模型)这里ND、NA是常数,且NAxp=NDxn(两区电荷数量相等)。试证明电场的分布为:n区 ,P区 并画出ρ和E随x变化的曲线。 相关知识点: 试题来源: 解析 解:将...
美国KAYDON半导体轴承ND050XP0。 德国NADELLA伸缩导轨RKYR62。 英国RHP轴承NU1052CC。 日本NB直线轴承代理商SGL30TFBS1-360。 LMB243848-FUUAJLMB243848-FUUOPLMB324864-FLMB324864-FAJLMB324864-FOP。 日本OZAK法兰直线轴承LFK8OH 日本NB滚珠花键SGL15EB1-280 日本TSK竹内精工直线导轨HS55A 英国RHP轴承BL310ZNR...
N = NDNA/(ND+NA);VA= VD-V NVA越大,Δx越小,易发生隧道击穿。隧道击穿要求有一定的NVA值,可以是N小而V大,也可是N大而V小,前者即掺杂浓度小时,反向电压要大。但是,在杂质浓度小时,势垒宽度增大,隧道长度变长,不利于隧道击穿,而利于雪崩击穿。所以在一般掺杂浓度大时,易发生隧道击穿,而在一般掺杂浓度下...
1、p-n结的形成和杂质分布 合金结的杂质浓度分布 xxj,NxNAxxj,NxND 突变结实际的突变结，两边的杂质浓度相差很多，例如ND=1016cm-3，NA=1019cm-3，通常称这种结为单边突变结(one-sideabruptjunction)(这里是p+-n结)1、p-n结的形成和杂质分布 (2)扩散法 SiO2 p型杂质 p型硅 n n n Si Si ...
补偿半导体•补偿半导体中的平衡载流子浓度(一般情况):根据电中性条件p-n=Na・Nd和热平衡关系n p=rij2,可得到多数载流子浓度nn=(1/2){Nd-Na+ V
缓变结。(graded junction) (离子注入法) 半导体物理 3 突变结突变结(step(step junction)junction)的杂质分布的杂质分布 突变结突变结: Xxjj , N((x))=NAA A l Xx , N(x)=N n - S i j D xx N A N D p + −n N (x) 突变结 NA NN D NN A nn+ −−pp ND 突变结近似适用于...
中性区域内,对p型中性区,假设ND=n=0,且pn,则,静电势相对于费米能级有: 。同理,对n型中性区,NA=p=0,且np,则, 静电势相对于费米能级有:。因此,热平衡下,p型中性区和n型中性区之间的总的电势变化为: Vbi称为内建电势,实际上是组成p-n结的n型材料和p型材料之间的接触电势差。下面用另一种方法求...
p-n结一侧的掺杂浓度远比另一侧高的突变结称为单边突变结。图(a)和(b)分别显示单边突变p+-n结及其空间电荷分布，其中NA>>ND，因此，xp<<xn。W的表达式可以简化为 Wxn2sVbiqND （c）V=0（a）ND（b）-NA0-emVbi（d）ψVbi0NA>>NDExn=Wxp＋ND-NA n W x 最大电场为：Em qNDW ...
设想在结形成的一瞬间,在N区的电子为多子,在P区的电子为少子,使电子由N区流入P区,电子与空穴相遇又要发生复合,这样在原来是N区的结面附近电子变得很少,剩下未经中和的施主离子ND+形成正的空间电荷。同样,空穴由P 区扩散到N区后,由不能运动的受主离子NA-形成负的空间电荷。在P区与N区界面两侧产生不能移动...