又可说成是与N型半导体中的掺杂浓度(NA),P型半导体中的掺杂浓度(ND)和本征半导体中的电子载流子浓度有关(ni)。 P-N结具有整流特性。 当交流电通过P-N结时变成直流电,P-N结的电压电流具有非线性关系。当V<0时,P-N结的宽度变大,电流不容易通过,J趋近于-Js。Js为反向饱和电流;当V>0时,P-N结的宽度变...
补偿半导体•补偿半导体中的平衡载流子浓度(一般情况):根据电中性条件p-n=Na・Nd和热平衡关系n p=rij2,可得到多数载流子浓度nn=(1/2){Nd-Na+ V
•电流-电压特性 •电荷储存与暂态响应 •结击穿 •异质结 第二页，编辑于星期六：十点二分。热平衡状态下的p-n结 p-n结(junction)：由p型半导体和n型半导体接触形成的结．p-n结最重要的特性是整流性，即只容许电流流经单一方向。右图 为一典型硅p-n结的电流-电压的特性．当对p-n结施以正向偏压...
同质半导体可以通过掺杂工艺，将一块半导体分化为P区和N区。在室温下，掺杂的杂质具有较低的激活能，使得NA-受主离子和ND+施主离子几乎完全电离。在PN区交界地带，由于两侧载流子浓度的差异，它们会发生扩散现象。在结形成初期，N区的电子作为多数载流子，而P区的电子则是少数载流子，电子会从N区向P区流...
设想在结形成的一瞬间,在N区的电子为多子,在P区的电子为少子,使电子由N区流入P区,电子与空穴相遇又要发生复合,这样在原来是N区的结面附近电子变得很少,剩下未经中和的施主离子ND+形成正的空间电荷。同样,空穴由P区扩散到N区后,由不能运动的受主离子NA-形成负的空间电荷。在P区与N区界面两侧产生不能移动...
对于理想的p-n结,已知p-n结两边的掺杂浓度分别为NA和ND:①如果少数载流子的扩散长度分别为Ln和Lp,试近似导出该p-n结的正向伏安特性关系;②如果p型半导体电中性区的长度W 相关知识点: 试题来源: 解析 [解答]①由于通过理想p-n结的电流主要是少数载流子的扩散电流,因此,只要给出了少数载流子的浓度梯度,即可立即...
取坐标x的原点在p、n区的交界面上,n区的X围是-xn≤x≤0,p区的X围是0≤x≤xP.设两区内电荷体密度分布都是均匀的:n区 ,P区 (突变结模型)这里ND、NA是常数,且NAxp=NDxn(两区电荷数量相等)。试证明电场的分布为:n区 ,P区 并画出ρ和E随x变化的曲线。 相关知识点: 试题来源: 解析 解:将...
N = NDNA/(ND+NA);VA= VD-V NVA越大,Δx越小,易发生隧道击穿。隧道击穿要求有一定的NVA值,可以是N小而V大,也可是N大而V小,前者即掺杂浓度小时,反向电压要大。但是,在杂质浓度小时,势垒宽度增大,隧道长度变长,不利于隧道击穿,而利于雪崩击穿。所以在一般掺杂浓度大时,易发生隧道击穿,而在一般掺杂浓度下...
VD与ND、NA、T、材料(ni)有关 * 4.p-n结的载流子分布(采用求平衡态导电电子浓度类似的方法) 玻耳兹曼分布 * 势垒区载流子浓度比n区和p区的多数载流子浓度小得多,也称为耗尽层。 利用两公式计算:势垒高度为0.7eV,势垒区内电势能比n区 导带底Ecn高0.1eV处载流子浓度。
第五章p-n结 §1p-n结及其基本概念§2p-n结的电流电压特性§3p-n结电容§4p-n结的隧道效应§5p-n结的光生伏特效应 §1p-n结及其基本概念 (1)p-n结的形成(2)p-n结的基本概念 ★p-n结的形成 p-n结的形成♦控制同一块半导体的掺杂,形成pn结(合金法;扩散法;离子注入法等)♦在p(n)型半导...