P型半导体与N型半导体在原子尺度上“接触”后,由于存在于两侧的自由电子和空穴因浓度差而相互扩散,与此同时,也建立起由N侧指向P侧的电场,阻碍电子和空穴继续扩散.动态平衡时,净扩散电流为零.交界处形成一电偶层,此即P-N结.从能带角度看,由于N侧的电势高于P侧,P-N结区域的能带弯曲,对电子和空穴都形成阻碍继续...
【p-n结】在一块半导体中,掺入施主杂质,使其中一部分成为n型半导体。其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体,当p型半导体和n型半导体这两个区域共处一体时,这两个区域之间的交界层就是p-n结。p-n结很薄,结中电子和和空穴都很少,但在靠近n型一边有带正电荷的离子,靠近p型一边有带负电荷的离子。这是因为,在...
对于一块半导体材料而言,例如Si,往往通过掺入N元素来得到一块p型半导体,这是因为掺入的N原子会挤占原来Si原子所占据的原子位置,但N原子的外部电子比Si要少,掺入的异质原子N不能完全地束缚整个体系中的电子,因此在N掺杂的Si材料中,表现出的多数载流子就是空穴,反之掺杂P元素,表现出的多数载流子类型就是电子。 但...
【答案】：由于n型半导体中电子是多子，而在p型半导体中空穴是多子，因此在n型和p型半导体交界面处存在浓度梯度，n区中的电子向p区扩散，p区中的空穴向n区扩散，结果在交界面处形成正负电荷区，在p区一边是负电，n区一边是正电，形成p—n结．在p—n结中电场由n区指向p区，抑制电子和空穴的继续...
从直观上来讲,PN结实际上就是一个P型半导体和一个N型半导体怼在一起形成的,但在制造的时候我们往往会在N型半导体中(或P型)掺入P型杂质(或N型)以形成两种不同类型半导体相接触的格局。掺入的方式具体有合金法和扩散法,这两种方法会形成两种不一样的PN结,这种不同体现在PN结附近的杂质浓度分布上。
p-n型(p-n type)是指p区为p型半导体,n区为n型半导体的结构。p型半导体中的杂质浓度较高,导电性主要由空穴贡献;而n型半导体中的杂质浓度较高,导电性主要由自由电子贡献。 在垂直异质结中,p-n型结的结构可以用于多种半导体器件,例如二极管、肖特基势垒二极管等。在这些器件中,p-n结的形成使得电荷在不同半导体...
P-N结的形成原理当P型半导体与N型半导体连接在一起时,由于PN结中不同区域的载流子分布存在浓度梯度,P型半导体材料中过剩的空穴通过扩散作用流动至N型半导体材料;同理,N型半导体材料中过剩的电子通过扩散作用流动至P型半导体材料。电子或空穴离开杂质原子后,该固定在晶格内的杂质原子被电离,因此在结区周围建立起了一...
【答案】：当p型半导体和n型半导体接触时，p型半导体中的空穴浓度大大高于n型半导体，而n型半导体中的自由电子浓度大大高于p型半导体。这样，在接触面附近就出现电子从n型半导体向p型半导体的扩散，使p型半导体一侧具有过多的负电荷，因而电势较低，n型半导体一侧具有过多的正电荷，因而电势较高，在接触...
半导体物理(p型n型半导体的形成、pn结基本概念输运现象、空间电荷区耗尽区形成与分析、热平衡pn结能带图、pn结接触电势差、反偏下pn结电场电势分布结击穿。, 视频播放量 14953、弹幕量 13、点赞数 363、投硬币枚数 312、收藏人数 682、转发人数 72, 视频作者 六六可不老六,
因为p型中电子的扩散长度比n型中空穴扩散长度来的长，为了获得较大电流，so，一般p型做基底