SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理...
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理...
当然有,但通常采用的是n型半导体,主要原因如下:1.载流子迁移率。电子迁移率远高于空穴迁移率,因此选用n型半导体可以获得良好的频率特性。2.正向导通电压。与n型相比,p型肖特基结往往正向导通电压过低,反向漏电流过高,制备更加困难(容易变成欧姆接触)。3.耐高温性。CMOS工艺往往需要高温退火处理,同...
肖特基结构是一种介电层(通常为氧化铝)与金属之间形成的特殊接触。在肖特基结构中,金属被联系到p型半导体上,形成一个二极管。该二极管的一个端口通过金属与p型半导体接触,形成Schottky势垒,另一个端口则通过p-n结与n型半导体连接。 2.2 p型半导体简介 p型半导体是一种掺杂有三价元素(如硼、铝等)的半导体材料。在...
解析 1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3)2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV3.为了得到肖特基结,要求P型半导体满足Wm4.金属一侧的势垒高度q$ps=X+Eg-Wm=4.05+1.124-4.20=0.974eV5.半导体一侧的势垒高度qVD=|Wm-Ws|=|4.20-5.00|=0.80eV ...
百度爱采购为您找到32家最新的肖特基结 p型半导体产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。
基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法说明:本发明公开了一种基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法,其...
百度爱采购为您找到54家最新的金属和p型半导体肖特基二极管结构产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。
百度爱采购为您找到98家最新的p型半导体肖特基结构产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。
查看答案