【p-n结】在一块半导体中,掺入施主杂质,使其中一部分成为n型半导体。其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体,当p型半导体和n型半导体这两个区域共处一体时,这两个区域之间的交界层就是p-n结。p-n结很薄,结中电子和和空穴都很少,但在靠近n型一边有带正电荷的离子,靠近p型一边有带负电荷的离子。这是因为,在...
p-n型(p-n type)是指p区为p型半导体,n区为n型半导体的结构。p型半导体中的杂质浓度较高,导电性主要由空穴贡献;而n型半导体中的杂质浓度较高,导电性主要由自由电子贡献。 在垂直异质结中,p-n型结的结构可以用于多种半导体器件,例如二极管、肖特基势垒二极管等。在这些器件中,p-n结的形成使得电荷在不同半导体...
在形成pn结时,在p型半导体和n型半导体的界面处,n型半导体的多数载流子(电子)会向界面处移动。因此,在界面处会形成一个耗尽层,即在两块不同性质的半导体中,多数载流子不断向界面处移动,为了保持整个系统中的电中性,在界面处会产生诱导电荷 N^{-},在界面处的多数载流子因为耗尽的缘故( N_{a}^{-}>>N_{a}...
【答案】:由于n型半导体中电子是多子,而在p型半导体中空穴是多子,因此在n型和p型半导体交界面处存在浓度梯度,n区中的电子向p区扩散,p区中的空穴向n区扩散,结果在交界面处形成正负电荷区,在p区一边是负电,n区一边是正电,形成p—n结.在p—n结中电场由n区指向p区,抑制电子和空穴的继续...
P-N结的形成原理当P型半导体与N型半导体连接在一起时,由于PN结中不同区域的载流子分布存在浓度梯度,P型半导体材料中过剩的空穴通过扩散作用流动至N型半导体材料;同理,N型半导体材料中过剩的电子通过扩散作用流动至P型半导体材料。电子或空穴离开杂质原子后,该固定在晶格内的杂质原子被电离,因此在结区周围建立起了一...
【答案】:当p型半导体和n型半导体接触时,p型半导体中的空穴浓度大大高于n型半导体,而n型半导体中的自由电子浓度大大高于p型半导体。这样,在接触面附近就出现电子从n型半导体向p型半导体的扩散,使p型半导体一侧具有过多的负电荷,因而电势较低,n型半导体一侧具有过多的正电荷,因而电势较高,在接触...
从直观上来讲,PN结实际上就是一个P型半导体和一个N型半导体怼在一起形成的,但在制造的时候我们往往会在N型半导体中(或P型)掺入P型杂质(或N型)以形成两种不同类型半导体相接触的格局。掺入的方式具体有合金法和扩散法,这两种方法会形成两种不一样的PN结,这种不同体现在PN结附近的杂质浓度分布上。
P-N结型半导体探测器,是常见的半导体探测器产品之一,可以用于激光测距、光纤通信等领域。 P型半导体,在硅或锗中掺杂硼或铟制成,可以产生空穴;N型半导体,在硅或锗中掺杂磷或锑制成,可以形成自由电子;PN结,将P型半导体与N型半导体通过扩散作用相结合制成,交接面可以形成空间电荷区,具有单向导电性。
因为p型中电子的扩散长度比n型中空穴扩散长度来的长,为了获得较大电流,so,一般p型做基底
其中通过对半导体材料的p型和n型掺杂以形成的p-n结是许多器件的核心结构之一。然而,由于p型GaN空穴浓度低,电子迁移率小,低效率的GaN的PN结也成为阻碍这些器件的发展的原因之一。 近期,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)的E03组的博士生左朋以及江洋、王禄、马紫光副研究员在陈弘研究员的指导...