P型半导体与N型半导体在原子尺度上“接触”后,由于存在于两侧的自由电子和空穴因浓度差而相互扩散,与此同时,也建立起由N侧指向P侧的电场,阻碍电子和空穴继续扩散.动态平衡时,净扩散电流为零.交界处形成一电偶层,此即P-N结.从能带角度看,由于N侧的电势高于P侧,P-N结区域的能带弯曲,对电子和空穴都形成阻碍继续...
半导体器件的p-n结中,n型有不受晶格束缚的自由电子.p型区则有相当于正电荷的空 穴。由于两区交界处自由电子和空穴密度不同,电子向p区扩散,空穴向n区扩散,在结的 两边留下杂质离子,因而产生电场,阻止电荷继续扩散,当扩散作用与电场的作用相平衡时, 电荷及电场的分布达到稳定状态,而在结形成了一个偶电区(如...
从直观上来讲,PN结实际上就是一个P型半导体和一个N型半导体怼在一起形成的,但在制造的时候我们往往会在N型半导体中(或P型)掺入P型杂质(或N型)以形成两种不同类型半导体相接触的格局。掺入的方式具体有合金法和扩散法,这两种方法会形成两种不一样的PN结,这种不同体现在PN结附近的杂质浓度分布上。
p-n型(p-n type)是指p区为p型半导体,n区为n型半导体的结构。p型半导体中的杂质浓度较高,导电性主要由空穴贡献;而n型半导体中的杂质浓度较高,导电性主要由自由电子贡献。 在垂直异质结中,p-n型结的结构可以用于多种半导体器件,例如二极管、肖特基势垒二极管等。在这些器件中,p-n结的形成使得电荷在不同半导体...
【答案】：由于n型半导体中电子是多子，而在p型半导体中空穴是多子，因此在n型和p型半导体交界面处存在浓度梯度，n区中的电子向p区扩散，p区中的空穴向n区扩散，结果在交界面处形成正负电荷区，在p区一边是负电，n区一边是正电，形成p—n结．在p—n结中电场由n区指向p区，抑制电子和空穴的继续...
一、P-N结双极型材料的物理特性 P-N结双极型材料由P型半导体和N型半导体接触形成,两种半导体的材料性质不同,形成了一个耗尽区。当施加正向偏压时,耗尽区宽度减小,电流可以更容易地流过;而当施加反向偏压时,耗尽区宽度增加,电流流动受到阻碍。这种特性使得P-N结双极型材料具有单向导电性,即只允许电流在单一方向上...
【答案】：当p型半导体和n型半导体接触时，p型半导体中的空穴浓度大大高于n型半导体，而n型半导体中的自由电子浓度大大高于p型半导体。这样，在接触面附近就出现电子从n型半导体向p型半导体的扩散，使p型半导体一侧具有过多的负电荷，因而电势较低，n型半导体一侧具有过多的正电荷，因而电势较高，在接触...
在形成pn结时,在p型半导体和n型半导体的界面处,n型半导体的多数载流子(电子)会向界面处移动。因此,在界面处会形成一个耗尽层,即在两块不同性质的半导体中,多数载流子不断向界面处移动,为了保持整个系统中的电中性,在界面处会产生诱导电荷N^{-},在界面处的多数载流子因为耗尽的缘故(N_{a}^{-}>>N_{a},N...
【p-n结】在一块半导体中,掺入施主杂质,使其中一部分成为n型半导体。其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体,当p型半导体和n型半导体这两个区域共处一体时,这两个区域之间的交界层就是p-n结。p-n结很薄,结中电子和和空穴都很少,但在靠近n型一边有带正电荷的离子,靠近p型一边有带负电荷的离子。这是因为,在...
1【题目】二极管原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷二极管原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于...