PN结具有单向导电性。P是positive的缩写,N是negative的缩写,表明正荷子与负荷子起作用的特点。一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ,P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。含少数自由电子的半导体称N型半导体,含少数空穴的半导体,称P型半导体,这...
从直观上来讲,PN结实际上就是一个P型半导体和一个N型半导体怼在一起形成的,但在制造的时候我们往往会在N型半导体中(或P型)掺入P型杂质(或N型)以形成两种不同类型半导体相接触的格局。掺入的方式具体有合金法和扩散法,这两种方法会形成两种不一样的PN结,这种不同体现在PN结附近的杂质浓度分布上。
PN结的空间电荷区(Space Charge Region, SCR),也称为耗尽层或耗尽区,因为空间电荷区起着阻挡载流子往对方输运的作用,是PN结中因载流子(电子和空穴)的重新组合而形成的少数载流子耗尽的区域。 当P型和N型半导体材料接触并形成PN结时,P型半导体中的空穴(正电荷载流子)和N型半导体中的电子(负电荷载流子)会因浓度梯度...
PN结的形成:当在一块本征半导体(如一片半导体单晶片)两边加上P型、N型半导体时,则在两部分的接触面上形成一个特殊的薄层,成为PN结。所谓薄层是指这一区域形成了原先所没有的内建电场,简称内电场。PN结形成过程具体如下:首先在一片半导体单晶体上制作出P区、N区,在P区和N区的交界处,因浓度差的原因,P区的多...
PN结形成于P型和N型半导体的交界处：N区的多子（自由电子）向 P区扩散，P区的多子（空穴）向N区扩散...
PN结：把一块N型和一块P型拼一块，二者的交界处会形成一个极薄的电荷层，我们叫它“PN结”。形成...
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ,少数载流子为 自由电子 ,不能移动的杂质离子带 负电。 (2)PN结具有单向导电性。PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向 相反 ,有利于 多数载流子 的扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ;PN结反向偏置时,外...
p型和n型半导体之间的接触面即称为PN结。 p型和n型半导体键合时,作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子,所以它被称为耗尽层,与绝缘体的状态相同。 在这种状态下,将“+”极连接到p型区,将“-”极连接到n型区,并施加电压使得电子从n型区顺序流动到p型区。电子...
半导体物理(p型n型半导体的形成、pn结基本概念输运现象、空间电荷区耗尽区形成与分析、热平衡pn结能带图、pn结接触电势差、反偏下pn结电场电势分布结击穿。, 视频播放量 14953、弹幕量 13、点赞数 363、投硬币枚数 312、收藏人数 682、转发人数 72, 视频作者 六六可不老六,
答:本征半导体即纯净的单晶半导体,其内部存在数量相等 的两种载流子,一种是负电的自由电子,另一种是带正电空穴。 N型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴 数量,P型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子少数载流子。 PN结是采用掺杂工艺便硅和锗晶体的一边形成P型区,一边形成N型半导体。