The NXE platform uses 13.5 nm EUV light, generated by a tin-based plasma source, to expose 300 mm wafers with a max exposure field size of 26 mm x 33 mm. The NXE:3600D is equipped with reflective projection optics with a numerical aperture (NA) of 0.33. The flexible mask illumination...
当季,ASML净销售额40亿欧元,毛利率50.9%,净收入10亿欧元,净预订额83亿欧元,其中EUV极紫外光刻机就有49亿欧元,而总的积压订单金额已达175亿欧元。 ASML在财报中还披露,第一台全新TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻机系统已经交付给客户,相比之前的NXE:3400C生产力提高了15-20%,覆盖率(套刻精度)提高了约30%。 不...
NXE 平台使用由锡基等离子源产生的 13.5 nm EUV 光来曝光 300 mm 晶圆,大曝光区域尺寸为 26 mm x 33 mm。NXE:3600D 配备了数值孔径 (NA) 为 0.33 的反射投影光学器件。灵活的掩模照明光学模块支持低 k1 应用,同时保持高生产率。 光学和平台的原位测量和每个晶圆的校正能力相结合,可以优化每个暴露晶圆的成像...
【TechWeb】10月15日消息，据国外媒体报道，已经推出了两款极紫外光刻机的阿斯麦，正在研发第三款，计划在明年年中开始出货。阿斯麦极紫外光刻机 阿斯麦是在三季度的财报中，披露他们全新的极紫外光刻机将在明年年中开始出货的，型号为TWINSCAN NXE:3600D。在财报中，阿斯麦表示他们已经敲定了TWINSCAN NXE:3600D的规格...
阿斯麦ASML方面表示,EUV (极紫外光) 光刻业务: 第一台NXE:3600D已出货给客户。相较于前一代产品,NXE:3600D的生产力提高15%到20%,且套刻精度(overlay)也提高 30%。ASML正增加EUV在存储产业的量产应用,并将计划协助三个 DRAM 客户实现在未来的制程节点中导入EUV 。
10. 2021牛7月21日,荷兰ASML公司向客户正式交付全球首台全新极紫外光刻机TWINSCAN NXE:3600D,该光刻机采用波长为13.5nm的极紫外线。已知普朗克常数$$ h = 6 . 6 3 \times 1 0 ^ { - 3 4 } J s $$,下列说法正确的是 A. 极紫外线是一种可见光 B. 极紫外线光子能量$$ 1 . 4 7 \times 1 ...
编者按:ASML的EUV光刻机光源取得重大技术升级,包括EUV收集镜寿命超过1年、可用性超过95%、最新光刻机NXE:3600D的单日曝光晶圆数量比2019年增加300%。 2023年伊始,各种国际光刻会议恢复线下活动,光刻领域的精英们开始报告各个领域的前沿进展,那我们一起跟踪一下国际EUV光刻技术的一些进展吧。
台积电目前使用ASML的NXE：3600D光刻机系统，每小时可生产160个晶圆（wph）。NXE：3800E光刻系统通过降低EUV多重曝光（patterning）的总体成本，NXE：3800E初期能达30mJ/cm²，约每小时195片晶圆产能，最后能提升到每小时220片晶圆，吞吐量比NXE：3600D提高30%。价值3亿美元的高数值孔径EUV光刻机受关注 去年12月...
具体而言,EUV(极紫外光)光刻业务方面,第一台NXE:3600D已出货给客户。相较于前一代产品,NXE:3600D的生产力提高15%到20%,且套刻精度(overlay)也提高30%。ASML表示正增加EUV在存储产业的量产应用,并将协助三个DRAM客户实现在未来的制程节点中导入EUV。
除了正在研发的 High-NA EUV 光刻机 Twinscan EXE 系列，ASML 也为其 NXE 系列传统数值孔径 EUV 光刻机持续更新升级，未来目标在 2025 年推出 NXE:4000F 机型。上两代 NXE 系列机型 3400C 和 3600D 分别适合 7~5、5~3 纳米节点生产，德媒 ComputerBase 因此预测 3800E 有望支持 3~2 纳米的尖端制程。根...