The TWINSCAN NXE:3600D combines imaging and overlay improvements with a 15% to 20% productivity improvement capability when compared to its predecessor, the NXE:3400C at dose 30mJ/cm2. The EUV lithography solutions provided by the TWINSCAN NXE:3600D are complementary to those provided by our ...
ASML一口气官宣三款更先进的EUV光刻机，关键还都是新型号、NA值更高的光刻机，这说明ASML正在加速技术进步，提升晶圆产能等。但在售价方面，ASML并没有透露更多消息，参考TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻机的售价，再加上，63亿欧元仅出货42套EUV光刻机系统。这意味着TWINSCAN EXE:5200 EUV光刻机和TWINSCAN EXE:5000...
ASML首台全新极紫外光刻机已交货; 阿斯麦ASML方面表示,EUV (极紫外光) 光刻业务: 第一台NXE:3600D已出货给客户。相较于前一代产品,NXE:3600D的生产力提高15%到20%,且套刻精度(overlay)也提高 30%。ASML正增加EUV在存储产业的量产应用,并将计划协助三个 DRAM 客户实现在未来的制程节点中导入EUV 。 指导仅供...
而ASML 的新一代光刻机采用了更大的镜面以及新的软硬件系统进行精确控制,进一步提高了设备的数值孔径,使光线以不同角度穿过光学元件来增加成像分辨率。 目前ASML 最先进的 EUV 光刻机型号是 TWINSCAN NXE:3600D,使用的是 13.5 nm EUV 光(由基于锡的等离子体源生成),支持 5nm 和 3nm 逻辑点和尖端 DRAM 节点...
在财报电话会议上，公司CFO还提到了高孔径EUV的财务贡献度。他指出，ASML计划在2024年EUV 0.33 NA光刻设备上的发货量和2023年保持持平，并且在交付了第一台NXE:3800E，以供客户鉴定审核和导入。NXE:3800E生产率达到每小时曝光220片晶圆，可以比最终配置的NXE:3600D提高37%（如下图）。今年2月份，英特尔技术开发...
目前，ASML主力出货机型为NXE:3400C EUV光刻机，每小时处理晶圆数不低于170片。但ASML已经交付了首台升级版的NXE:3600D EUV光刻机，相比NXE:3400C而言，其效率提升了15%到20%。另外，ASML还研发了全新一代EUV光刻机，其代号是NXE:5000系列，物镜NA提升到0.55，预计在2023年下线商用，可用于生产制造3nm、2nm...
目前ASML最强的光刻机，TWINSCAN NXE：3600D在这一次的财报会议上正式公布了参数和规格。ASML表示3600D光刻机可以每小时曝光160块晶圆，和上代相比曝光率提升了18%，而且相对应的匹配精度也提升至1.1nm。而目前性能最出色的3400B的精度为2nm，每小时曝光125块晶圆。当然ASML也表示目前的3400B也可以提供软件更新，...
ASML在浸没式光刻机领域全球领先,NXKT:2100i设备分辨率为38mm,产率为295wph:此外,ASML在EUV光刻机领域是绝对的垄断者,全球仅ASML一家公司实现了EUV设备的批量交付,其NXE:3600D EUV设备分辨率达到13nm,且最新的High-NA EUV设备也已交付客户。 相较ASML,Nikon在浸没式DUV方面也有少量出货,canon则聚焦中低端领域。
目前主力出货的TWINSCAN NXE: 3600D套刻精度为1.1nm,曝光速度30 mJ/cm2,每小时曝光160片晶圆,年产量为140万片。据悉,NXE:3600D能达到93%的可用性,2023年有望达到进DUV光刻机95%的可用性。 从2017年第二季出货第一台量产机型TWINSCAN NXE: 3400B至今,包括NXE: 3400B、NXE: ...
据称，ASML 明年规划产能仅有 10 台，而英特尔已经预订了其中 6 台，不过 ASML 计划在未来几年内将此设备产能提高到每年 20 台。目前，ASML 官网列出的 EUV 光刻机仅有两款 ——NXE:3600D 和 NXE:3400C，均配备 0.33 NA 的反射式投影光学器件及 13.5nm EUV 光源，分别适用于 3/5nm 和 5/7nm 芯片...