之后，AMSL 于 2017 年推出了 TWINSCANNXE:3400B，将光刻机的制程（即最小的电路栅格间距离）从 7 纳米推到了 5 纳米。2020 年初，AMSL 发货了第 100 台 EUV 光刻机。再到 2023 年，再次推出了 High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5000。从 AMSL 的路线图来看，在 2025 年还要推出将新一代 High-NA E...
终于,在2013年,量产的EUV光刻机NEX:3300B面世了——也就在这一年,温宁克和范登布林克接过了公司的领导权。此后,在这两位联席总裁的领导下,ASML继续高歌猛进,于2017年推出了TWINSCANNXE:3400B,将光刻机的制程(即最小的电路栅格间距离)从7纳米推到了5纳米。而由此,ASML...
ASML高歌猛进于2017年推出了TWINSCANNXE:3400B,将光刻机的制程(即最小的电路栅格间距离)从7纳米推到了5纳米。而由此,ASML的光刻霸主地位也最终确定。 近日,荷兰光刻机巨头ASML宣布:其联席总裁兼首席执行官皮特·温宁克 (Peter Wennink)及联席总裁兼首席技术官马丁·范登布林克(Martinvanden Brink)将于 2024年4月2...
之后，AMSL于2017年推出了TWINSCANNXE:3400B，将光刻机的制程（即最小的电路栅格间距离）从7纳米推到了5纳米。2020年初，AMSL发货了第100台EUV光刻机。再到2023年，再次推出了High NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5000。从AMSL的路线图来看，在2025年还要推出将新一代High-NA EUV系统EXE:5200。02 ASML卖了多少光...
ASML高歌猛进于2017年推出了TWINSCANNXE:3400B,将光刻机的制程(即最小的电路栅格间距离)从7纳米推到了5纳米。而由此,ASML的光刻霸主地位也最终确定。 作者:陈永伟 封图:图虫创意 近日,荷兰光刻机巨头ASML宣布:其联席总裁兼首席执行官皮特·温宁克 (Peter Wennink)及联席总裁兼首席技术官马丁·范登布林克(Martinvan...
TWINSCAN NXE:3400B支持7纳米和5纳米节点的EUV量产，NXE：3400B每小时处理晶圆数不低于125片。而新一代的NXE:3400C每小时处理晶圆数不低于170片，可用率超过90％。今年ASML开始交付新一代的EUV光刻机，型号为NXE:3600D，相比于NXE:3400C，提供15%至20%的生产力改进能力。那么利用这些数据，我们就可以算一算了...
目前ASML出货的EUV光刻机主要是NXE:3400B及改进型的NXE:3400C，两者基本结构相同，但NXE:3400C采用模块化设计，维护更加便捷，平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时，支持7nm、5nm。此外，NXE:3400C的产能也从之前的125WPH（每小时处理晶圆数）提升到了175WPH。随着去年台积电、三星7nm EUV工艺的量产，对于ASML...
目前主力出货的TWINSCAN NXE: 3600D套刻精度为1.1nm，曝光速度30 mJ/cm2，每小时曝光160片晶圆，年产量为140万片。据悉，NXE:3600D能达到93%的可用性，2023年有望达到进DUV光刻机95%的可用性。从2017年第二季出货第一台量产机型TWINSCAN NXE: 3400B至今，包括NXE: 3400B、NXE: 3400C和NXE: 3600D累计出货...
目前ASML出货的光刻机主要是NXE:3400B及改进型的NXE:3400C，两者基本结构相同，但NXE:3400C采用模块化设计，维护更加便捷，平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时，支持7nm、5nm。此外，NXE:3400C的产能也从之前的125WPH（每小时处理晶圆数）提升到了175WPH。不论NXE:3400B还是NXE:3400C，目前的EUV光刻机还是...
根据目前的情况来看，英特尔、三星、台积电都希望在7nm工艺量产上采用EUV光刻技术（英特尔可能会用于其10nm工艺的量产）。而ASML的NXE:3400B EUV光刻机则成为了他们能否实现量产计划的关键。当然，不管英特尔、三星、台积电围绕着制程工艺如何竞争，ASML终究是最大赢家，因为他们谁也离不开他的EUV光刻机。而且到了5nm...