The TWINSCAN NXE:3600D combines imaging and overlay improvements with a 15% to 20% productivity improvement capability when compared to its predecessor, the NXE:3400C at dose 30mJ/cm2. The EUV lithography solutions provided by the TWINSCAN NXE:3600D are complementary to those provided by our ...
当季,ASML净销售额40亿欧元,毛利率50.9%,净收入10亿欧元,净预订额83亿欧元,其中EUV极紫外光刻机就有49亿欧元,而总的积压订单金额已达175亿欧元。 ASML在财报中还披露,第一台全新TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻机系统已经交付给客户,相比之前的NXE:3400C生产力提高了15-20%,覆盖率(套刻精度)提高了约30%。 不...
阿斯麦ASML方面表示,EUV (极紫外光) 光刻业务: 第一台NXE:3600D已出货给客户。相较于前一代产品,NXE:3600D的生产力提高15%到20%,且套刻精度(overlay)也提高 30%。ASML正增加EUV在存储产业的量产应用,并将计划协助三个 DRAM 客户实现在未来的制程节点中导入EUV 。 指导仅供参考,不作为交易依据 [免责声明] ...
【TechWeb】10月15日消息，据国外媒体报道，已经推出了两款极紫外光刻机的阿斯麦，正在研发第三款，计划在明年年中开始出货。阿斯麦极紫外光刻机 阿斯麦是在三季度的财报中，披露他们全新的极紫外光刻机将在明年年中开始出货的，型号为TWINSCAN NXE:3600D。在财报中，阿斯麦表示他们已经敲定了TWINSCAN NXE:3600D的规格...
编者按:ASML的EUV光刻机光源取得重大技术升级,包括EUV收集镜寿命超过1年、可用性超过95%、最新光刻机NXE:3600D的单日曝光晶圆数量比2019年增加300%。 2023年伊始,各种国际光刻会议恢复线下活动,光刻领域的精英们开始报告各个领域的前沿进展,那我们一起跟踪一下国际EUV光刻技术的一些进展吧。
NXE：3800E光刻系统通过降低EUV多重曝光（patterning）的总体成本，NXE：3800E初期能达30mJ/cm²，约每小时195片晶圆产能，最后能提升到每小时220片晶圆，吞吐量比NXE：3600D提高30%。价值3亿美元的高数值孔径EUV光刻机受关注 去年12月，ASML向英特尔交付了业界首台数值孔径达到0.55的EUV光刻设备Twinscan EXE：...
最近，英特尔公开了其最新高NA EUV光刻系统的详情，技术上讲，此款新系统被命名为NXE:5000，它将取代现有的NXE:3600与NXE:3400系列。尽管所有这些设备均采用13.5nm光源，但NA（数值孔径）的提升至关重要——从0.33到0.55。更为出色的是，晶圆处理速率已攀升至宣称的185片每小时(WPH)。NXE:5000是一款非凡的...
除了正在研发的 High-NA EUV 光刻机 Twinscan EXE 系列，ASML 也为其 NXE 系列传统数值孔径 EUV 光刻机持续更新升级，未来目标在 2025 年推出 NXE:4000F 机型。上两代 NXE 系列机型 3400C 和 3600D 分别适合 7~5、5~3 纳米节点生产，德媒 ComputerBase 因此预测 3800E 有望支持 3~2 纳米的尖端制程。根...
与先前的Twinscan NXE:3600D相比,Twinscan NXE:3800E在性能上有了显著提升。 这款全新系统专为制造采用前沿技术的芯片而设计,包括未来几年的3纳米、2纳米和更小的节点。其投影镜头的数值孔径达到了0.33,带来了更高的加工覆盖和处理能力。每小时可在30 mJ/cm^2剂量下处理超过195个晶圆,并有望通过吞吐量升级将性能...
3600D 机型相同，仅是配备了更高效的 EUV 光源，所以其吞吐量收益主要来自每次曝光之间的晶圆移动加速。与 3600D 相比，3800E 的载物台移动速度提升至 2 倍，曝光步骤总时长也大约减少了一半。更快的运行速度也带来了能效的提升，ASML 的发言人表示，NXE:3800E 整体节省了约 20%~25% 的能源。