在读操作的时候,数据总线DQ、总线指示信号DQS需要由NAND Flash控制,控制器需要释放对这些信号线的控制。数据读总线操作时序如下图所示: 可以发现总线数据锁存信号DQS和时钟信号CLK同频,但是会存在一定的相差,这样NAND Flash控制器可以通过CLK时钟信号的双沿变化对总线上的数据进行采样,从而可以正确的读取NAND Flash中的...
b、新加了一个名为DQS(DQ Strobe)的DQ 数据总线选通信号。DQS是双向信号,用于数据传输。DQS不能用于命令或地址周期。对于从host到device的数据传输(写),DQS的锁存沿对齐到有效数据窗口的中间;对于从device到host的数据传输(读),DQS的锁存沿对齐到DQ总线的转换沿。当操作在SDR接口时,DQS应该被host拉高,被device忽略。
一种NAND Flash读DQS采样方法 下载积分: 180 内容提示: (19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202210038242.4(22)申请日 2022.01.13(71)申请人 浪潮通信信息系统有限公司地址 250101 山东省济南市高新区浪潮路1036号浪潮科技园S06号楼(72)发明人 张海 于洁 (74)...
当NAND Flash工作于同步接口模式时,接口I/O数据为DDR形式,读写操作时序见图5,可以发现它非常类似于DDR SDRAM的时序,其中DQ[7:0]为数据,DQS为数据选通信号,其基本思想就是将两组持续时间为一个时钟周期的数据合并,使得在传输过程中一个时钟周期的上升沿和下降沿都能传输数据,从而获得传输速度的倍增。 DQ和DQS均...
NV-DDR技术引入外部参考电压作为数据输入/输出信号的采样基准,采用源同步时钟来精确锁存数据、命令、地址信号,但由于DQS和Clock不是差分信号,所以边沿容易受干扰,目前主流消费级/企业级NAND Flash已经很少看到NV-DDR接口。 - ONFI 3.x:ONFI 3.x引入了NV-DDR2技术,最大接口速率从ONFI 3.0/3.1的400Mbps演进到ONFI ...
Toggle 1.0 使用雙向 DQS 選通信號實現高達 133MT/s 的數據傳輸速率,每個上升沿和下降沿都與一次數據傳輸相關。然而,ONFI 和 Toggle 之間的區別在於,Toggle 數據傳輸在沒有時鐘信號的情況下進行操作,使其僅在發生讀寫操作時與功耗異步。 ONFI 在 3.0 版本中也採用了這種實現方式,以其在功效方面的優勢和設計簡單...
DQS是一个附加的引脚,作为数据频闪器,它指示数据有效窗口。 因此,时钟被用来指示命令和地址应该被锁存的位置,而数据频闪信号被用来指示数据应该被锁存的位置。DQS是一个双向总线,与时钟的频率相同。 显然,前面几节描述的基本命令周期必须根据新的接口进行修改。图2.28显示了一个“Cmd”序列,然后是SSI的“Dout”循环。
支持ONFI2.0及以上的NAND Flash芯片既支持传统的异步接口模式,也能通过配置工作在源同步的DDR接口模式下,从而达到速度的提高。如图4所示,在同步工作模式下,增加了DQS信号,并将异步模式下的WE#信号变为CLK信号,RE#变为W/R信号。有很多文献介绍了传统异步接口模式下的NAND Flash控制器设计,本文不再赘述,以下开始介绍...
Toggle DDR以DQS为时钟信号,驱动输入 Toggle DDR 2.0,2010年8月,传输带宽上升到400MB/s。 闪存的同步与异步 ONFI 2.0标准在NAND中加入了同步时钟发生器,主控可以通过发送同步指令激活闪存上的同步时钟信号,使闪存工作在同步模式 ,此时闪存的数据传输速率会大幅度提升,异步模式相当于ONFI 1.0,闪存的带宽为50MB/s,而...
当RDY信号为高电平时,表明可以从NAND Flash中输出数据。在读操作的时候,数据总线DQ、总线指示信号DQS需要由NAND Flash控制,控制器需要释放对这些信号线的控制。数据读总线操作时序如下图所示: 可以发现总线数据锁存信号DQS和时钟信号CLK同频,但是会存在一定的相差,这样NAND Flash控制器可以通过CLK时钟信号的双沿变化对...