b、新加了一个名为DQS(DQ Strobe)的DQ 数据总线选通信号。DQS是双向信号,用于数据传输。DQS不能用于命令或地址周期。对于从host到device的数据传输(写),DQS的锁存沿对齐到有效数据窗口的中间;对于从device到host的数据传输(读),DQS的锁存沿对齐到DQ总线的转换沿。当操作在SDR接口时,DQS应该被host拉高,被device忽略。
在读操作的时候,数据总线DQ、总线指示信号DQS需要由NAND Flash控制,控制器需要释放对这些信号线的控制。数据读总线操作时序如下图所示: 可以发现总线数据锁存信号DQS和时钟信号CLK同频,但是会存在一定的相差,这样NAND Flash控制器可以通过CLK时钟信号的双沿变化对总线上的数据进行采样,从而可以正确的读取NAND Flash中的...
在差分模式下,通过在数据传输阶段使能RE_n/RE_c差分信号对和DQS_t/DQS_c signals差分信号对,可有效抑制噪声和干扰。通过在NAND Flash芯片上集成ODT端接电阻,可以将控制器和NAND Flash的信号传输通道上的阻抗失配减少到最小,有助于减少信号反射;另外,ODT阻值可以通过软件配置寄存器来控制,因此可以大大简化硬件电路设...
当NAND Flash工作于同步接口模式时,接口I/O数据为DDR形式,读写操作时序见图5,可以发现它非常类似于DDR SDRAM的时序,其中DQ[7:0]为数据,DQS为数据选通信号,其基本思想就是将两组持续时间为一个时钟周期的数据合并,使得在传输过程中一个时钟周期的上升沿和下降沿都能传输数据,从而获得传输速度的倍增。 DQ和DQS均...
DQS是一个附加的引脚,作为数据频闪器,它指示数据有效窗口。 因此,时钟被用来指示命令和地址应该被锁存的位置,而数据频闪信号被用来指示数据应该被锁存的位置。DQS是一个双向总线,与时钟的频率相同。 显然,前面几节描述的基本命令周期必须根据新的接口进行修改。图2.28显示了一个“Cmd”序列,然后是SSI的“Dout”循环。
Toggle DDR以DQS为时钟信号,驱动输入 Toggle DDR 2.0,2010年8月,传输带宽上升到400MB/s。 闪存的同步与异步 ONFI 2.0标准在NAND中加入了同步时钟发生器,主控可以通过发送同步指令激活闪存上的同步时钟信号,使闪存工作在同步模式 ,此时闪存的数据传输速率会大幅度提升,异步模式相当于ONFI 1.0,闪存的带宽为50MB/s,而...
本发明公开一种NAND Flash读DQS采样方法,本方法将DQS看作数据信号,使用与其频率相同的NAND Flash PHY时钟clk_phy实现读DQS的采样,节省了时钟资源,其中,clk_phy需要经过时钟管理单元MMCM进行相移,以达到最佳采样位置。本方法并介绍了读DQS相移控制逻辑及训练方法,该方
NV-DDR技术引入外部参考电压作为数据输入/输出信号的采样基准,采用源同步时钟来精确锁存数据、命令、地址信号,但由于DQS和Clock不是差分信号,所以边沿容易受干扰,目前主流消费级/企业级NAND Flash已经很少看到NV-DDR接口。 - ONFI 3.x:ONFI 3.x引入了NV-DDR2技术,最大接口速率从ONFI 3.0/3.1的400Mbps演进到ONFI ...
开机时SSD是运行在异步模式的,只有当主控发送同步指令给闪存后,才激活闪存上的源同步时钟,然后针脚定义发生改变,激活DQS信号, 让其工作在同步模式,并将异步模式下的WE#信号变为CLK信号,RE#变为W/R信号,同步模式下DQS信号的上升沿与下级沿都能控制信号的传输,使传输速度翻倍。
WP_x_n: [I] Write Protect. disables Flash array program and erases operation DQS, and DQS_x_...