我在使用镁光的Nand Flash的时候注意到他们的产品编号代表的含义：其中里面有一行是Feature Set。看选型表...
Raw NAND还有一些个性化的功能,这个是因厂商而异的,ONFI规定了两个可选的命令Get/Set Feature,个性化功能可以通过Get/Set Feature命令来扩展。下表是ONFI 1.0规定的Feature address范围,其中0x01是Timing Mode,0x80-0xFF用于各厂商实现自己的特色功能。 关于Timing Mode地址的具体定义如下,ONFI规定芯片上电初始为Timing...
NAND Flash是嵌入式世界里常见的存储器,对于嵌入式开发而言,NAND主要分为两大类:Serial NAND、Raw NAND,这两类NAND的差异是很大的(软件驱动开发角度而言),即使你掌握其中一种,也不代表你能了解另一种。 Raw NAND是相对于Serial NAND而言的,Serial NAND即串行接口的NAND Flash,而Raw NAND是并行接口的NAND FLASH,...
NAND Flash是嵌入式世界里常见的存储器,对于嵌入式开发而言,NAND主要分为两大类:Serial NAND、Raw NAND,这两类NAND的差异是很大的(软件驱动开发角度而言),即使你掌握其中一种,也不代表你能了解另一种。 Raw NAND是相对于Serial NAND而言的,Serial NAND即串行接口的NAND Flash,而Raw NAND是并行接口的NAND FLASH,...
疑问:1、对比两款flash型号唯一不同的地方是feature set 一个是E,一个是F。这部分还在详细对比手册,但总感觉应该没有太大的区别,之前用三星的flash也是可以启动的。 2、启动顺序:之前设置是串口是第一启动顺序,nand是第三。发生问题后,将启动顺序更换到nand第一启动顺序后,发现现象一致,还是一直打印cccccccc。
三星的pure nand flash(就是不带其他模块只是nand flash存储芯片)的命名规则如下: 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 :...
三星的pure nand flash(就是不带其他模块只是nand flash存储芯片)的命名规则如下: 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card ...
有了前面的背景知识,NAND的加载启动过程便是上电之后,BootROM先从NAND起始地址处获取FCB0数据,再根据FCB0里的信息获取DBBT0数据以及Firmware 0起始地址,底下便进入跟NOR Flash一样的加载过程,只不过在加载Firmware 0的过程中需要根据DBBT0坏块表信息自动跳过坏块。如果在读取Firmware 0时,发现部分Firmware数据所在的bloc...
1.2 要对nandflash操作,比如读取一页数据、写入一页数据,都要发送对应的命令,而且要符合硬件的规定,如图: 从上图可以看出,在Read读取数据时需两个周期Cycle,即分两次发送对应的命令,第一次是0x00,第二次是0x30,而且两次中间要发送对应的地址行地址(页)+列地址(页内陆址),这个要特别注意,在下面的源码读取数据...
我们似乎离答案更近一步了,但tBusy是多少这个问题始终困扰着我们,其实痞子衡带你绕了路,想要知道Read Page的时间没有这么复杂,我们可以从任何一款Raw NAND数据手册的扉页Features里直接找到答案,如下是Micron生产的型号为MT29F4GxxABBxA的部分feature: • Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant ...