NAND FLASH基本原理 SPI NAND介绍 使用GD32F303 SPI接口实现对GD5F1GQ5UEYIGY的读写操作 20.2实验原理 20.2.1NAND FLASH基本原理 NAND Flash和NOR Flash都是两种非易失性存储器,其读写速度、读写方式,存储区结构、成本、容量、擦写寿命都有很大区别。NAND在寿命、速度、读写方式上都不如NOR,但在成本和容量上有...
我们知道在i.MXRT中是FlexSPI外设负责实现串行NOR/NAND Flash设备的读写访问支持,痞子衡写过一篇文章《从头开始认识i.MXRT启动头FDCB里的lookupTable》,文章详述了FlexSPI是如何通过lookupTable来支持串行NOR Flash设备XiP启动的(这里主要是读访问支持)。 在lookupTable设计里,其实AHB读访问并不是NOR Flash设备的专利,...
while(bsp_spi_nandflash_get_status_flag(OIP)==SPI_NAND_BUSY); /* check program result */ return result; } • NOR FLASH按page写入函数bsp_nandflash_page_program,输入待写入数据指针、block号、page号;该函数流程是: ￮ 写缓冲区,实现流程:向NOR FLASH发送写缓冲区指令0x02->发送写入的page偏移...
一、NAND Flash类型 1.1 NAND Flash的两大分类 NAND Flash是嵌入式世界里常见的存储器,对于嵌入式开发而言,NAND主要分为两大类:Serial NAND、Raw NAND,这两类NAND的差异是很大的(软件驱动开发角度而言),即使你掌握其中一种,也不代表你能了解另一种。
凡是NAND型Flash都绕不开坏块(Bad Block)问题,这也是NAND Flash区别于NOR Flash的一个重要特点。NAND技术上允许坏块的存在,这降低了NAND生产工艺要求,因此NAND单位容量价格比NOR低。 NAND内部按粒度从大到小划分依次为Plane、Block、Page、Byte(如下图所示),因为坏块导致了一些Block无法有效存储数据,这些Block会被标记...
自行编写标准NAND FLASH Controller/控制器,可以以源代码(VHDL语言)或网表形式(提供使用手册)提供,功能包括:1. 支持异步接口的SLC和MLC Nand Flash2. 最高支持时序模式5(Timing Mode 5)3. 兼容ONFI命令集:Reset、Read ID/ONFI Signature、Read Unique ID、Read Parameter Page、Set Feature、Get Feature、Read St...
1.1 先分析下nandflash的布局、操作结构 由图可以看出一片Nand flash为一个设备(device),其数据存储分层为: a. 1个设备(device)=1024个块(Blocks),块也是Nand flash擦除操作的最小单位。 b. 1个块(block) = 64页(Pages),页是Nand flash写入的最小单位,对于每一个页,由数据块区域和空闲区域。数据区,也...
说到Raw NAND发展史,其实早期的Raw NAND没有统一标准,虽然早在1989年Toshiba便发表了NAND Flash结构,但具体到Raw NAND芯片,各厂商都是自由设计,因此尺寸不统一、存储结构差异大、接口命令不通用等问题导致客户使用起来很难受。为了改变这一现状,2006年几个主流的Raw NAND厂商(Hynix、Intel、Micron、Phison、Sony、ST)...
在嵌入式世界里,当我们提起XiP设备(支持代码原地执行的存储器),首先想到的应该是NOR Flash。比如中低端MCU内部通常会集成小容量并行NOR Flash(一般2MB以内),用于存放应用程序;而高性能MCU,往往内部不会集成Flash,需要在板级设计时外挂一片稍大容量的NOR Flash(大部分是串行NOR,一般8MB以上)。 恩智浦i.MXRT系列属...
NAND Flash是嵌入式世界里不可或缺的存储介质，主要分为Serial NAND与Raw NAND两大类。Serial NAND凭借串行接口的灵活性与成本优势占据市场主导，而Raw NAND则以其并行接口的高速率特性，虽然在设计成本上相对较高，但依然拥有稳固的市场地位。Raw NAND，作为相对于Serial NAND的并行接口存储器，其发展历史...