b、新加了一个名为DQS(DQ Strobe)的DQ 数据总线选通信号。DQS是双向信号,用于数据传输。DQS不能用于命令或地址周期。对于从host到device的数据传输(写),DQS的锁存沿对齐到有效数据窗口的中间;对于从device到host的数据传输(读),DQS的锁存沿对齐到DQ总线的转换沿。当操作在SDR接口时,DQS应该被host拉高,被device忽略。
在读操作的时候,数据总线DQ、总线指示信号DQS需要由NAND Flash控制,控制器需要释放对这些信号线的控制。数据读总线操作时序如下图所示: 可以发现总线数据锁存信号DQS和时钟信号CLK同频,但是会存在一定的相差,这样NAND Flash控制器可以通过CLK时钟信号的双沿变化对总线上的数据进行采样,从而可以正确的读取NAND Flash中的...
在差分模式下,通过在数据传输阶段使能RE_n/RE_c差分信号对和DQS_t/DQS_c signals差分信号对,可有效抑制噪声和干扰。通过在NAND Flash芯片上集成ODT端接电阻,可以将控制器和NAND Flash的信号传输通道上的阻抗失配减少到最小,有助于减少信号反射;另外,ODT阻值可以通过软件配置寄存器来控制,因此可以大大简化硬件电路设...
DQS是一个附加的引脚,作为数据频闪器,它指示数据有效窗口。 因此,时钟被用来指示命令和地址应该被锁存的位置,而数据频闪信号被用来指示数据应该被锁存的位置。DQS是一个双向总线,与时钟的频率相同。 显然,前面几节描述的基本命令周期必须根据新的接口进行修改。图2.28显示了一个“Cmd”序列,然后是SSI的“Dout”循环。
Toggle 1.0 使用雙向 DQS 選通信號實現高達 133MT/s 的數據傳輸速率,每個上升沿和下降沿都與一次數據傳輸相關。然而,ONFI 和 Toggle 之間的區別在於,Toggle 數據傳輸在沒有時鐘信號的情況下進行操作,使其僅在發生讀寫操作時與功耗異步。 ONFI 在 3.0 版本中也採用了這種實現方式,以其在功效方面的優勢和設計簡單...
一种NAND Flash读DQS采样方法 下载积分: 180 内容提示: (19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202210038242.4(22)申请日 2022.01.13(71)申请人 浪潮通信信息系统有限公司地址 250101 山东省济南市高新区浪潮路1036号浪潮科技园S06号楼(72)发明人 张海 于洁 (74)...
可以发现总线数据锁存信号DQS和时钟信号CLK同频,但是会存在一定的相差,这样NAND Flash控制器可以通过CLK时钟信号的双沿变化对总线上的数据进行采样,从而可以正确的读取NAND Flash中的数据。 NAND Flash操作命令 NAND Flash的操作通过一系列的命令来完成。镁光芯片的操作命令定义如下: ...
NV-DDR技术引入外部参考电压作为数据输入/输出信号的采样基准,采用源同步时钟来精确锁存数据、命令、地址信号,但由于DQS和Clock不是差分信号,所以边沿容易受干扰,目前主流消费级/企业级NAND Flash已经很少看到NV-DDR接口。 - ONFI 3.x:ONFI 3.x引入了NV-DDR2技术,最大接口速率从ONFI 3.0/3.1的400Mbps演进到ONFI ...
电荷攫取闪存(charge trap flash,简称CTF):是一种非平面设计,绝缘体环绕沟道(channle),控制栅极又环绕着绝缘体层。这种结构设计里面的电荷是储存在一个绝缘层而非之前 的导体上,像奶酪一样捕获电子,使其难以动弹。 3D CTF: 2D NAND逐渐接近摩尔极限,cell之间的干扰影响越来越大,于是2D NAND向3D NAND发展。平面...
山东华芯半导体取得一种NANDFlash读DQS采样方法专利 |快报 返回搜狐,查看更多 平台声明:该文观点仅代表作者本人,搜狐号系信息发布平台,搜狐仅提供信息存储空间服务。