NAND Flash基础知识简介 NAND Flash是一种非易失存储介质(掉电后数据不会丢失),常见的U盘、TF卡/SD卡,以及大部分SSD(固态硬盘)都是由它组成的。 本文主要介绍其组成及工作原理。 为了表述方便,后面所说的Flash仅指NAND Flash。 一、Flash基本组成单元:SLC/MLC/TLC Flash的基本组成单元是浮栅晶体管,其状态可以用...
就Flash闪存而言，按功能特性分为两种：一种是Nor Flash，通常容量较小，主要用于存储代码；另一种为Nand Flash，容量较大，主要用于存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
NAND Flash的存储单元是数据存储的最小单位，目前闪存已经由数千亿个存储单元组成，通过将电子移入和移出封闭在绝缘体中的电荷存储膜来存储数据。NAND Flash存储器使用浮栅晶体管，它能在没有电源的情况下存储信息。所有的电路都依赖于某种能量来使整个电池的电荷产生差异，这种能量迫使电子穿过栅极，Nand闪存的浮动栅极...
Nand Flash 芯片主要由array构成,同时需要外围电路来实现写读擦除功能。 Array一般分为若干个Plane,每个Plane都有独立的sense amplifier和cache,所以可以同时进行操作。wordline沿水平方向,bitline沿垂直方向,所有的bitline都连接到了sense amplifier上。Row Decoder在两个Plane之间。Row Decoder负责给被选中的string对应的...
NOR Flash和NAND Flash都是非易失性(非易失性即掉电不丢失数据)存储器,但它们有一些区别: 存储逻辑 NOR Flash的存储方式类似于常规的存储器,可以使用随机访问方式读取和写入数据。而NAND Flash则使用页式存储方式,需要按页顺序顺序读取和写入。 速度NOR Flash的读取速度相对较快,可以实现快速的指令执行和数据读取。
图:NAND Flash的排列结构 基本单元结构:NAND Flash的基本存储单元是一个浮栅晶体管(Floating Gate Transistor)。每个晶体管对应一个存储单元,存储的信息是通过控制浮栅上的电荷实现的。多个存储单元通过串联方式形成一个NAND存储单元(通常为8到32个单元串联),以提高密度和降低成本。
一、NAND Flash的发展和分类 根据闪存市场需求,一种众所周知的对闪存产品和相关技术进行分类的方法有两大应用领域定义: -- 代码存储:存储程序或操作系统,并由微处理器或微控制器执行; -- 数据(或大容量)存储,用于按顺序记录和读取图像、音乐和语音等数据文件。
因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。1.2 存储器RAM介绍 RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只...
0.NAND的操作管理方式 NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码)。
我们使用外部程序存储芯片,主要是NOR Flash,你没见过有谁用Nand Flash跑程序的吧? Nand Flash不适合跑程序的几点原因: 1.不能随机访问地址; 2.存在坏块,不适合存储程序; 3.在长时间反复读取过程中,Nand中数据相对没有Nor稳定; 所以,单片机内部Flash通常是Nor Flash。