3. NOR FLASH 和NAND FLASH的结构和特性3.1 NOR FLASH的结构和特性 NOR FLASH的结构原理图见图3.1,可见每个Bit Line下的基本存储单元是并联的,当某个Word Line被选中后,就可以实现对该Word的读取,也就是可以实现位读取(即Random Access),且具有较高的读取速率,图3.1是一个3*8bit的NOR FLASH的原理结构图,图3...
（2）读取性能：NOR闪存的读取速度比NAND闪存快。因为读取数据时，NAND Flash首先需要进行多次地址寻址，...
一般来说,快闪记忆体可分为两大规格,一个是NAND, 一个是NOR。 简单来说,NAND一般以存储数据为主,芯片容量大,容量可以达到2Gb甚至更大,NAND的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价;NOR一般以存储程序代码为主,又称为Code Flash,所以可让微处理器直接读取,但芯...
NOR Flash和NAND Flash都是非易失性（非易失性即掉电不丢失数据）存储器，但它们有一些区别：存储逻辑 NOR Flash的存储方式类似于常规的存储器，可以使用随机访问方式读取和写入数据。而NAND Flash则使用页式存储方式，需要按页顺序顺序读取和写入。速度 NOR Flash的读取速度相对较快，可以实现快速的指令执行和数据读...
NAND FLASH的擦写均是基于隧道效应,电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层,对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据);另外,NOR FLASH擦除数据也是基于隧道效应(电流从浮置栅极到硅基层),但在写入数据时则是采用热电子注入方式(电流从浮置栅极到源极)。
Nor/Nand FLASH的读写 http://blog.163.com/charlie_quan/blog/static/13010104620091110953549/ 所谓Flash,是内存(Memory)的一种,但兼有RAM和ROM 的优点,是一种可在系统(In-System)进行电擦写,掉电后信息不丢失的存储器,同时它的高集成度和低成本使它成为市场主流。
1)读取数据时,Nand Flash 首先需要进行多次地址寻址,然后才能访问数据;而Nor Flash是直接进行数据读取访问,因此NOR的读速度比NAND稍快一些。 2)NAND器件执行擦除操作简单,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。同时,NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少,因此NAND的擦除速度远比NOR的快很...
与NAND 不同,NOR Flash 采用热载流子注入的方式进行Program。热载流子注入(HCI, Hot Carrier Injection)与普福勒-诺德海姆隧穿最大的区别在于:前者是电子在漏端(Drain)获得足够的能量翻越势垒进入浮栅(FG, Floating Gate),就好像爬山;后者是电子穿过势垒进入浮栅,就好像穿山隧道。
Nor flash和Nand flash的区别 二者一个非常重要的区别，这个区别可以影响到我们的开发思路：片内执行XIP...