1、NOR Flash把整个存储区分成若干个扇区(Sector),而NAND Flash把整个存储区分成若干个块(Block),可以对以块或扇区为单位的内存单元进行擦写和再编程。 2、NAND Flash执行擦除操作是十分简单的,而NOR型内存则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 3、由于擦除NOR Flash时是以64～128KB为单位的块...
NOR Flash的较低存储密度意味着每个存储单元占用的空间相对较大,因此在同样的物理尺寸下,可以容纳更少的存储单元。这导致了NOR Flash相对较小的容量。 NAND Flash:相对而言,NAND Flash的寿命较短且较容易损坏。由于采用了块擦除的方式,并且每个存储块只能擦写有限次数,所以随着时间的推移和频繁的擦写操作,NAND Flash...
区别:(1)NAND Flash 用于高数据密度的数据存储,便宜,功耗低,NAND的写入速度比NOR快很多;以8-32KB的块进行操作,执行一个写入/擦除的操作最多仅需要4ms;但应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 (2)NOR Flash 用于存储少量的代码,NOR的读速度比NAND稍快一些。NOR是芯片内执行,即应用程序可以直接...
nor flash 的读速度比 nand flash稍快一些 nor flash 的写入速度比 nand flash 慢了很多 nand flash 的4ms擦除速度远比nor flash 的5s 快 nand flash 的擦除单元更小,相应的擦除电路也久更小 四、接口差别 nor flash 的接口和RAM一样, nand flash 是使用I/O口来串行地存取数据。 五、易用性 nor flas...
一、结构和工作原理 NorFlash:采用并行结构,每个存储单元都有一个独立的地址线,支持随机访问,适用于执行代码和数据存储。NandFlash:采用串行结构,数据以页的形式进行读写,不支持随机访问,适用于大规模存储和数据传输。 二、读写速度NorFlash:读取速度较快,可以快速执行代码和加载数据,适用于实时性要求较高的应用。
3.1 NOR Flash 随机访问:NOR Flash具有直接寻址能力,允许快速随机访问。 元数据保护:NOR Flash支持内部元数据的保护机制,可以提供更高的数据完整性。 编程/擦除速度:由于其结构的特性,NOR Flash的编程和擦除速度较慢。 3.2 NAND Flash 高存储密度:NAND Flash的串行结构使其能够实现更高的存储密度,适合存储大容量数...
Nand Flash 和Nor Flash 的区别 主要的区别就是: 1、 NAND 比NOR 便宜;NAND 的容量比NOR 大(指相同成本);NAND 的擦写次数是NOR 的十倍;NAND 的擦除和写入速度比NOR 快,读取速度比NOR 稍慢; 2、 NAND 和NOR 的读都可以以字节为单位,但NAND 的写以page 为单位,而NOR 可以随机写每一个字节。NAND 和NO...
答: (1)NOR Flash 的读速度比 NAND Flash 稍快一些。 (2)NAND Flash 的擦除和写入速度比 NOR Flash 快很多 (3)NAND Flash 的随机读取能力差,适合大量数据的连续读取。 (4) NORF lash 带有 SRAM接口,有足够的地址引进来寻址,可以很容易地存取其 内部的每一个字节。 NAND Flash 的地址、数据和命令共用 ...