WSP4884双N沟道MOSFET因其独特的性能,适用于按摩椅中的高频降压转换器、网络DC-DC电源系统和负载开关等应用。 二、WSP4884的基本特性 耐压值:30V,适用于低压应用。 最大连续漏极电流:在25℃时为8.8A,70℃时为7.0A。 低导通电阻:在VGS=10V时为18.5mΩ,有助于减少功率损耗。 高密度沟槽技术:提供优异的导通电阻...
Vishay SQ2361 汽车P沟道60V 功率 MOSFET 800V,且 RDS(on) 在 10VVGS时仅 0.15Ω ,在 4.5V 时仅 0.20Ω。威世硅尼克斯的 SQ2361 汽车用 P沟道60V 功率 MOSFET 也不含卤素(按照 IEC OneyacSimon2019-07-09 17:30:39 详解MOS管工作原理,原理图,了如指掌 ...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 Through Hole 封装/ 箱体 TO-247AC-3 高度 20.82 mm 长度 15.87 mm 系列 EF 宽度 5.31 mm 单位重量 6 g 可售卖地 全国 型号 SIHG33N60EF-GE3 PDF资料 电子管-场效应管-SIHG33N60EF-GE3-VISHAY-TO-247AC-3-17+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在...
WSF3089是一种高性能的N沟道MOSFET,具有以下关键特性: 耐压值:30V,适合低压电机驱动系统。 最大连续漏极电流(ID):在25℃时为72A,100℃时为46A,能够承受较大的电流变化。 低导通电阻(RDS(ON)):在VGS=10V时为4.5mΩ,有助于减少功率损耗。 高密度沟槽技术:提供优异的导通电阻和门极电荷性能。 低门极电荷:有...
这款N沟道增强型功率MOSFET犹如电力世界的高效守门人,以30V的漏源电压(VDS)和120A的持续电流(ID)展现强劲性能。其导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时低于2.8mΩ,如同丝绸般顺滑;即便在4.5V驱动电压下,仍能保持低于4.6mΩ的优异表现。采用TO-252-2L表面贴装封装,宛如精密的电子积木,为现代电路设计提供灵活解决方...
在当今快速发展的电子行业中,高效、可靠的功率半导体器件是各类电源管理和开关应用的核心。矽源特ChipSourceTek-PE83H5K作为一款N沟道增强型电源MOSFET,凭借其卓越的性能参数和广泛的应用场景,成为工程师在设计高功率密度系统时的优选之一。 ### 一、产品核心特性 ...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 2.5 A Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V Qg-栅极电...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 2.3 A Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V Qg-栅极电荷: 8.6 nC 最小工...
矽源特ChipSourceTek-PE83H5KT是VDS=30V, ID=150A,RDS(ON)<2.6mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<4.2mΩ@VGS=4.5V的N沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2L封装。 The 矽源特ChipSourceTek-PE83H5KT uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a...
矽源特HYG025N06LS1P是60V/160A,RDS(ON)=2.5mΩ(typ.)@VGS=10V,RDS(ON)=3.7mΩ(typ.)@VGS=4.5V的N沟道MOSFET。 100% …